【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于产生双梯度CdSeTe薄膜结构的方法
[0001]本专利技术涉及一种用于形成具有双Se梯度的CdSeTe薄膜结构的方法。此方法优选地用于形成CdTe薄膜太阳能电池的光敏层的一部分。
技术介绍
[0002]在现有技术中，CdTe太阳能电池具有以下结构，其中各层按所提及的顺序布置：形成为前接触层的透明导电氧化物(TCO)层；形成为n掺杂窗口层的硫化镉(CdS)层；作为p掺杂光敏层的碲化镉(CdTe)层；以及用于收集电荷载流子的背接触层。CdS层和CdTe层形成p
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n结。前接触层和背接触层也可以形成为包括不同材料的不同层的层堆叠。
[0003]CdTe的能隙的范围为1.45eV到1.5eV，对应于非常接近太阳辐射光谱最大强度的吸收区，并且因此CdTe具有最大光伏转化效率。然而，太阳能电池的最大效率是有限的，因为开路电压和光生电流取决于光敏层的能隙、形成p
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n结的层之间的导带偏移以及在光敏层与背接触层的界面处的电荷载流子复合效应。
[0004]一种用于提高太阳能电池效率的方...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于形成双梯度CdSeTe薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供基础衬底，b)在所述基础衬底上形成第一CdSe
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层，所述第一CdSe
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层具有第一厚度d1和处于其中的第一量w1的硒，c)在所述第一CdSe
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层上形成第二CdSe
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层，所述第二CdSe
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层具有第二厚度d2和处于其中的第二量w2的硒，其中所述第二量w2在介于0.25与0.4之间的范围内，以及d)在所述第二CdSe
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层上形成第三CdSe
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层，所述第三CdSe
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层具有第三厚度d3和处于其中的第三量w3的硒，其中所述第一CdSe
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层中的能隙的最大值和所述第三CdSe
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层中的能隙的最大值等于或高于1.45eV，并且所述第二CdSe
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层中的能隙在介于1.38eV与1.45eV之间的范围内并且小于所述第一CdSe
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层中的所述能隙的所述最大值并且小于所述第三CdSe
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层中的所述能隙的所述最大值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少所述第二CdSe
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Te1‑
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层是使用镉、硒和碲的共沉积以及在含有气态硒的气氛下对沉积层进行退火而形成的。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
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所述第一CdSe
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层是使用镉、硒和碲的共沉积以及在第一温度和其中含有第一量c1的气态硒的第一气氛下对沉积层进行退火持续第一时间段而形成的，
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所述第二CdSe
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层是使用镉、硒和碲的共沉积以及在第二温度和其中含有第二量c2的气态硒的第二气氛下对沉积层进行退火持续第二时间段而形成的，并且
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所述第三CdSe
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层是使用镉、硒和碲的共沉积以及在第三温度和其中含有第三量c3的气态硒的第三气氛下对沉积层进行退火持续第三时间段而形成的，其中所述第一量w1和所述第三量w3均大于零且小于1，并且其中所述第一量c1、所述第二量c2、以及所述第三量c3均高于零。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少所述第一CdSe
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Te1‑
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层或所述第三CdSe
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层是使用CdSe层和/或CdTe层的沉积以及对沉积层进行退火而形成的。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
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所述第一CdSe
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层是使用具有第一厚度d11的第一CdSe层和具有第二厚度d22的第二CdTe层的连续沉积以及在第一温度和第一气氛下对沉积层进行退火持续第一时间段而形成的，
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所述第二CdSe
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层是使用具有第三厚度d21的第二CdSe层和具有第四厚度d22的第二CdTe层的连续沉积以及在第二温度和第二气氛下对沉积层进行退火持续第二时间段而形成的，并且
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所述第三CdSe
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层是使用具有第五厚度d31的第三CdSe层和具有第六厚度d32的第三CdTe层的连续沉积以及在第三温度和第三气氛下对沉积层进行退火持续第三时间段而形成的，其中对于所述第一CdSe
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层、所述第二CdSe
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层和所述第三CdSe
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层中的每一个，所述CdSe层的相应厚度与所述CdTe层的相应厚度的比率是不同的。6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，殷新建，傅干华，丹尼尔，
申请(专利权)人：CTF太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：
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