用于在薄膜太阳能电池上形成固体CdCl2层的方法和设备技术

本发明专利技术涉及一种用于在材料表面上形成固体CdCl2层的方法和设备。所述方法包含以下步骤：在基板上提供材料表面、在所述材料表面上施涂含有镉的牺牲层，以及向所述牺牲层提供含有氯化氢的气体并持续足以将所述牺牲层转化为固体CdCl2层的预定时间段。所述设备包含用于在基板上的材料表面上施涂含有镉的牺牲层的第一装置，以及用于向所述牺牲层提供含有氯化氢的气体的第二装置。化氢的气体的第二装置。化氢的气体的第二装置。

【技术实现步骤摘要】
用于在薄膜太阳能电池上形成固体CdCl2层的方法和设备


[0001]本申请涉及一种用于在材料表面上、尤其是在薄膜太阳能电池的CdTe或CdSeTe层上形成固体CdCl2层的方法，还涉及用于所述方法的设备。

技术介绍

[0002]根据现有技术，CdTe薄膜太阳能电池的光活性层包含CdTe(碲化镉)层或CdSe
x
Te1‑
x
层(0<x<1)，其中CdSe
x
Te1‑
x
层在下文中称为CdSeTe(碲化硒化镉)层。根据现有技术，CdTe薄膜太阳能电池还可以包含不同材料或材料组合的附加层，这些材料通常选自但不限于镉、硒、碲、锌、汞、锰和镁。除非另有定义，从此处开始，“CdTe或CdSeTe层”将与包含Cd、Se、Te、Zn、Hg、Mn、Mg、S或其组合的层或叠层同义，以利于简洁和适用于本申请的范围。
[0003]在生产过程中，在施涂CdTe或CdSeTe层之后，现有技术中通常借助于CdCl2和加热来活化CdTe或CdSeTe层。为达到此目的，使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于在材料表面上形成固体CdCl2层的方法，其包含以下步骤：
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在基板上提供材料表面，
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在所述材料表面上施涂含有镉的牺牲层，以及
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向所述牺牲层提供含有氯化氢的气体并持续足以将所述牺牲层转化为固体CdCl2层的预定时间段。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述材料表面是包含Cd、Se、Te、Zn、Hg、Mn、Mg、S或其组合的层的表面或叠层的表面。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述牺牲层是CdS层或CdO层。4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述牺牲层是使用基于真空的沉积方法施涂的。5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述层或叠层是使用基于真空的沉积方法提供的，并且在所述基板上提供所述层或叠层的步骤与施涂所述牺牲层的步骤之间不发生真空中断。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，向所述牺牲层提供含有氯化氢的气体的步骤是在处理室内进行的，并且所述含有氯化氢的气体是从所述处理室外的气体源提供的。7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，
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在向所述牺牲层提供含有氯化氢的气体的步骤之前，所述方法进一步包含在所述牺牲层上形成附加固体层的步骤，其中所述附加固体层由在200℃至350℃温度范围内分解为含有氯化氢的气体的材料组成，并且
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向所述牺牲层提供含有氯化氢的气体的步骤包含在200℃至350℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，傅干华，马立云，殷新建，克里斯蒂安，
申请(专利权)人：CTF太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：