CdTe/晶硅叠层电池制造技术

本申请涉及一种CdTe/晶硅叠层电池，包括从下往上依次连接的金属背电极、硅基子电池、第一透明导电薄膜、电池背接触层、CdTe吸收层、第三钝化层、窗口层、第二透明导电薄膜、及金属前电极。本申请通过上述设置，使用CdTe吸收层作为硅基子电池的吸收层，拓宽了吸收层的太阳光谱利用范围，从而提高硅基子电池的转换效率，同时CdTe/晶硅叠层电池的稳定性更高，电池寿命也更长。寿命也更长。寿命也更长。

【技术实现步骤摘要】
CdTe/晶硅叠层电池


[0001]本申请涉及一种CdTe/晶硅叠层电池，属于光伏电池


技术介绍

[0002]硅电池技术是市场上最主要的光伏技术，占据市场份额的90％以上。硅单结电池是市场上最常用的硅电池技术，其产业效率接近其理论最高转换效率，因此成本难以继续下降。
[0003]受Shockley
‑
Queisser极限限制，硅单结电池最高理论效率较低，对太阳光谱的利用率不高，电池转换效率很低，并且电池稳定性较差，寿命较短。
[0004]因此，有必要对现有技术予以改良以克服现有技术中的所述缺陷。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种采用CdTe材料作为吸收层的晶硅叠层电池。
[0006]本申请的目的是通过以下技术方案实现：一种CdTe/晶硅叠层电池，包括从下往上依次连接的金属背电极、硅基子电池、第一透明导电薄膜、电池背接触层、CdTe吸收层、第三钝化层、窗口层、第二透明导电薄膜、及金属前电极。
[0007]进一步地，所述硅基子电池包括从下至上依次连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CdTe/晶硅叠层电池，其特征在于，包括从下往上依次连接的金属背电极、硅基子电池、第一透明导电薄膜、电池背接触层、CdTe吸收层、第三钝化层、窗口层、第二透明导电薄膜、及金属前电极。2.如权利要求1所述的CdTe/晶硅叠层电池，其特征在于，所述硅基子电池包括从下至上依次连接的第一钝化层、P
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型硅、第二钝化层、P型晶体硅层、及N
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型硅。3.如权利要求2所述的CdTe/晶硅叠层电池，其特征在于，所述金属前电极和所述P
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型硅具有欧姆接触区域。4.如权利要求2所述的CdTe/晶硅叠层电池，其特征在于，所述第二钝化层为超薄氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春秀，钱洪强，张静全，张树德，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：新型
国别省市：