薄膜太阳能电池及其制作方法技术

本申请提供了一种薄膜太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域。本申请提供的薄膜太阳能电池中，吸收层包括与背接触层接触的CdTe层，背接触层包括与背电极层接触的掺As的ZnTe层。通过引入掺杂As的ZnTe层，来代替Cu掺杂，能够改善因Cu扩散导致的PN结质量下降，光电转换效率低的问题。相比于Cu掺杂，As替位Te形成Zn3As2结合能较高，为140eV。因此As掺杂能够使背接触层更加稳定，不易扩散到电池吸收层，从而提高薄膜太阳能电池性能的稳定性，使其具有更长的使用寿命。本申请提供的薄膜太阳能电池的制作方法，用于制作上述的薄膜太阳能电池。电池。电池。

【技术实现步骤摘要】
薄膜太阳能电池及其制作方法


[0001]本申请涉及光伏
，具体而言，涉及一种薄膜太阳能电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]CdTe薄膜太阳能电池由于弱光性能好，光吸收系数大，成本较低，光电转化效率高，在薄膜太阳能电池领域具有较高的市场占有率。但是p型CdTe材料作为吸收层，其功函数较高(约5.4eV)，需要结合更高功函数的材料才能形成欧姆接触，避免因CdTe与金属(电极)之间的肖特基结导致I
‑
V曲线出现正向电压方向的饱和电流，表现为roll
‑
over效应。同时为了实现更高的电流输出，需要该材料具有优异的导电性能，提高电池的填充因子和转化效率。
[0003]相关技术中的CdTe太阳电池采用了含Cu背接触结构来连接电极和CdTe，但是仍面临光电效率不高、稳定性较差的问题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的包括提供了一种薄膜太阳能电池及其制作方法，其具有较高的光电转换效率和较佳的性能稳定性。
[0005]本申请的实施例可以这样实现：
[0006]第一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，包括前电极层(100)和依次层叠设置的吸收层(300)、背接触层(400)以及背电极层(500)，所述吸收层(300)、所述背接触层(400)位于所述前电极层(100)与所述背电极层(500)之间；其中，所述吸收层(300)包括与所述背接触层(400)接触的CdTe层(310)，所述背接触层(400)包括与所述背电极层(500)接触的掺As的ZnTe层(410)。2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述背接触层(400)还包括ZnTe本征层(420)，所述ZnTe本征层(420)的两侧分别接触所述掺As的ZnTe层(410)与所述吸收层(300)。3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述背接触层(400)还包括掺Ag的ZnTe层，所述掺Ag的ZnTe层的两侧分别接触所述掺As的ZnTe层(410)与所述吸收层(300)。4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池(010)还包括设置在所述吸收层(300)与所述前电极层(100)之间的缓冲层(200)，所述缓冲层(200)为SnO2层。5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述吸收层(300)还包括与所述CdTe层(310)重叠设置的CdSe
x
Te1‑
x
层(320)，所述CdSe
x
Te1‑
x
层(320)接触所述CdTe层(310)背离所述背接触层(400)的一侧。6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述前电极层(100)为TCO层。7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述背电极层(500)包括依次层叠设置的MoO
x
层(510)、Al层(520)和Cr层(530)，所述MoO
...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，潘锦功，曾静，蒋猛，傅干华，唐茜，舒毅，敖华明，刘良兰，李贵成，
申请(专利权)人：成都中建材光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：