一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用制造技术

本申请公开了一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用，其特征在于，所述自PN结半导体纳米材料选自具有如式I所示化学式的物质中的任一种；MO

【技术实现步骤摘要】
一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用


[0001]本申请涉及一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用，属于半导体纳米材料


技术介绍

[0002]近红外光作为电磁波谱的重要组成部分，应用范围十分广泛，包括军事上的航海、夜视、航空航天、武器探测以及民用的光通信、医疗成像、大气探测、污染监测以及气象分析等等。光电效应又可以分为外光电效应和内光电效应，根据物理机制的不同，近红外光电探测器主要包括基于外光电效应和内光电效应的探测器。基于外光电效应的探测器一般为真空光电器件，比如真空光电管、光电倍增管、像增管等。此类产品非常适合探测微弱光信号以及快速脉冲弱光信号。然而，其缺点也很明显，需要真空环境以及高压系统，使得器件体积较大，灵活性差等。相比于外光电探测器，基于内光电效应的近红外光电探测器种类繁多，如光敏电阻、光电池、光电二极管、光电晶体管等。此类器件的特点众多，如结构简单、体积小、探测灵敏度高、光谱选择性好及响应速度快。
[0003]目前近红外光电探测器的研究热点主要是半导体纳米材料光电探测器。所指的纳米材料，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用，其特征在于，所述自PN结半导体纳米材料选自具有如式I所示化学式的物质中的任一种；MO
·
xMQ2O4式I；其中，所述M选自二价过渡金属元素中的任一种；所述Q选自VIII族元素中的任一种；所述x表示MQ2O4与MO含量的摩尔比，所述x的取值范围为1～2.5；所述自PN结半导体纳米材料为含有异型异质结的两相多晶结构。2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述自PN结半导体纳米材料的平均粒径为20～30nm；优选地，所述自PN结半导体纳米材料中，MO为N
‑
型半导体，MQ2O4为P
‑
型半导体，所述P
‑
型半导体和所述N
‑
型半导体之间形成PN结结构。3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述M选自Zn、Mn、Fe、Co、Ni中的任一种；所述Q选自Fe、Co、Ru中的任一种。4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述自PN结半导体纳米材料为亲水性。5.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述自PN结半导体纳米材料的制备方法包括以下步骤：将含有Q源、M源、碱源、表面活性剂、水的原料I反应，得到所述半导体纳米材料；所述Q源和所述M源的摩尔比为1～3.6：2.4～10；所述Q源以Q的摩尔数计，所述M源以M的摩尔数计。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：杨方，杜慧，吴爱国，李勇，
申请(专利权)人：宁波慈溪生物医学工程研究所，
类型：发明
国别省市：