本申请公开了一种带隙基准电压源电路及电子装置。所述带隙基准电压源电路能够实现带隙基准电压不受限于工艺、温度等变化影响，且在一定范围内可调整带隙基准电压的范围大小，从而增强了带隙基准电压源电路的设计灵活性。与此同时，基于带隙基准电压的范围比较大，带隙基准电压源电路输出电压的可调整范围也相应较大，从而提高电路的良率。此外，所述带隙基准电压源电路的输出支路的支路电流比较大，能够提高抗噪音性能。再者，设置于输出支路中的多个选择开关采用NMOS管，可以简化电路和连接。本申请采用该电路的电子装置亦是如此。本申请采用该电路的电子装置亦是如此。本申请采用该电路的电子装置亦是如此。
【技术实现步骤摘要】
带隙基准电压源电路及电子装置
[0001]本申请涉及电子
，尤其涉及一种带隙基准电压源电路及电子装置。
技术介绍
[0002]参考电压源一般用于为其它电路提供稳定的基准电压，且其所提供的电压基准值受工艺、温度和电源的变化影响很小。因此，参考电压源在芯片电路设计中起到非常重要的作用。常见的参考电压源例如为带隙基准电压源。在输出电压比较高的电源应用中，例如2.5V或1.8V的输出电压的应用中，此时带隙基准电压通常为1.2V。随着电源电压的低电压应用，带隙基准电压源电路也在不断的改进中，以能够产生更低功耗和更低电压值的带隙基准电压(或称参考电压，下文相同)，例如1V以下的带隙基准电压。在实际产业应用中，为了提高产品的良率，带隙基准电压需要具有灵活可调的范围。
[0003]然而，实际上，由于受到电子元器件的工艺参数限制，因此无法灵活地调节现有低压带隙基准电压范围。
[0004]有鉴于此，如何实现能够实现灵活调节带隙基准电压范围成为了相关研究者或开发人员的重要研究项目。
技术实现思路
[0005]本申请实施例提供一种带隙基准电压源电路及电子装置。所述带隙基准电压源电路能够实现在一定范围内调整带隙基准电压的大小，从而增强了带隙基准电压源电路的设计灵活性。与此同时，基于带隙基准电压的范围比较大，量产带隙基准电压源电路时输出电压的可调整范围也相应较大，从而提高电路的良率。此外，所述带隙基准电压源电路的输出支路的支路电流比较大，能够提高抗噪音性能。再者，设置于输出支路中的多个选择开关采用NMOS管，可以简化电路和连接。本申请采用该电路的电子装置亦是如此。
[0006]根据本申请的第一方面，本申请提供了一种带隙基准电压源电路，其包括：参考电流产生模块，用以输出一与温度正相关的参考电流；第一电阻；晶体管，所述晶体管的第一极通过所述第一电阻连接所述参考电流产生模块的输出节点；以及第二电阻，所述第二电阻的第一端连接所述晶体管的控制极，所述第二电阻的第二端和所述晶体管的第二极连接公共电位。
[0007]在基于上述技术方案的基础上，还可以做进一步的改进。
[0008]可选地，所述第二电阻的第二端和所述晶体管的第二极接地。
[0009]可选地，所述第二电阻为可调电阻。
[0010]可选地，所述晶体管为PMOS管。
[0011]可选地，所述晶体管是PNP三极管，所述晶体管的第一极为发射极，所述晶体管的第二极为集电极。
[0012]可选地，所述第二电阻包括多个第二子电阻以及旁路路径，所述多个第二子电阻串联在所述晶体管的控制极和第二极之间，所述旁路路径基于选择信号旁路所述多个第二
子电阻的至少之一。
[0013]可选地，所述旁路路径包括受选择信号控制的多个旁路开关，每一所述旁路开关的第一端连接对应所述第二子电阻的第一端，每一所述旁路开关的第二端连接对应所述第二子电阻的第二端。
[0014]可选地，所述旁路路径包括受选择信号控制的多个旁路开关，每一所述第二子电阻具有靠近所述晶体管的控制极的第一端和靠近所述晶体管的第二极的第二端，每一所述旁路开关的第一端连接所述晶体管的第二极，每一所述旁路开关的第二端连接对应第二子电阻的第一端。
[0015]可选地，所述旁路路径包括受选择信号控制的多个旁路开关，每一所述第二子电阻具有靠近所述晶体管的控制极的第一端和靠近所述晶体管的第二极的第二端，每一所述旁路开关的第一端连接所述晶体管的控制极，每一所述旁路开关的第二端连接对应第二子电阻的第二端。
[0016]可选地，所述旁路开关为MOS管开关。
[0017]可选地，所述带隙基准电压源电路还包括第三电阻，所述第三电阻的第一端连接参考电流产生模块的输出节点，所述第三电阻的第二端连接所述晶体管的控制极。
[0018]可选地，所述带隙基准电压源电路还包括串联在参考电流产生模块的输出节点和所述晶体管的控制极之间的多个第三子电阻，每一所述第三子电阻包括靠近参考电流产生模块的输出节点的第一端和靠近晶体管的控制极的第二端。
[0019]可选地，所述带隙基准电压源电路还包括多个选择开关，每一所述选择开关的第一端连接对应第三子电阻的第一端，每一所述选择开关的第二端连接公共节点，其中公共节点为第二电阻与靠近所述晶体管控制极的第三子电阻之间的连接节点。
[0020]可选地，所述参考电流产生模块包括成比例于绝对温度电流产生电路。
[0021]可选地，所述成比例于绝对温度电流产生电路包括工作在亚阈值区的晶体管。
[0022]根据本申请的第二方面，本申请还提供了一种带隙基准电压源电路，其包括：成比例于绝对温度电流产生电路；第一支路；以及第二支路，所述第一支路和第二支路并联在所述成比例于绝对温度电流产生电路的输出节点和地之间，所述第一支路包括第一电阻和用于提供与绝对温度互补电压的晶体管，所述第一电阻的第一端连接所述成比例于绝对温度电流产生电路的输出节点，所述第一电阻的第二端连接所述晶体管的第一极，所述晶体管的第二极接地，所述第二支路包括串联在所述成比例于绝对温度电流产生电路的输出节点和地之间的第二电阻和第三电阻，所述晶体管的控制极连接所述第二电阻和第三电阻的公共节点。
[0023]可选地，所述第二电阻为可调电阻。
[0024]根据本申请的第三方面，本申请还提供了一种电子装置，所述电子装置包括上述带隙基准电压源电路。
[0025]可选地，所述电子装置是非易失性存储器。
[0026]本申请所述带隙基准电压源电路能够实现带隙基准电压不受限于工艺、温度等变化影响，且在一定范围内可任意调整带隙基准电压的范围大小，从而增强了带隙基准电压源电路的设计灵活性。且，基于带隙基准电压的范围比较大，量产带隙基准电压源电路时输出电压的可调整范围也相应较大，从而提高电路的良率。此外，所述带隙基准电压源电路的
输出支路的支路电流比较大，能够提高抗噪声性能。再者，设置于输出支路中的多个选择开关采用NMOS管，可以简化电路和连接。本申请采用该电路的电子装置亦是如此。
附图说明
[0027]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0028]图1为本申请一实施例中的带隙基准电压源电路的结构示意图。
[0029]图2A为本申请另一实施例中的带隙基准电压源电路的一结构示意图。
[0030]图2B为本申请另一实施例中的带隙基准电压源电路的另一结构示意图。
[0031]图2C为本申请另一实施例中的带隙基准电压源电路的又一结构示意图。
[0032]图3为本申请又一实施例中的带隙基准电压源电路的结构示意图。
[0033]图4为图1所示的参考电流产生模块的另一实施例的结构示意图。
[0034]图5为图1所示的参考电流产生模块的又一实施例的结构示意图。
[0035]图6为本申请所述实施例中的带隙基准电压源电路的效果示意图。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电压源电路，其特征在于，包括：参考电流产生模块，用以输出一与温度正相关的参考电流；第一电阻；晶体管，所述晶体管的第一极通过所述第一电阻连接所述参考电流产生模块的输出节点；以及第二电阻，所述第二电阻的第一端连接所述晶体管的控制极，所述第二电阻的第二端和所述晶体管的第二极连接公共电位。2.根据权利要求1所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述第二电阻的第二端和所述晶体管的第二极接地。3.根据权利要求1所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述第二电阻为可调电阻。4.根据权利要求1所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述晶体管为PMOS管。5.根据权利要求1所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述晶体管是PNP三极管，所述晶体管的第一极为发射极，所述晶体管的第二极为集电极。6.根据权利要求1所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述第二电阻包括多个第二子电阻以及旁路路径，所述多个第二子电阻串联在所述晶体管的控制极和第二极之间，所述旁路路径基于选择信号旁路所述多个第二子电阻的至少之一。7.根据权利要求6所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述旁路路径包括受选择信号控制的多个旁路开关，每一所述旁路开关的第一端连接对应所述第二子电阻的第一端，每一所述旁路开关的第二端连接对应所述第二子电阻的第二端。8.根据权利要求6所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述旁路路径包括受选择信号控制的多个旁路开关，每一所述第二子电阻具有靠近所述晶体管的控制极的第一端和靠近所述晶体管的第二极的第二端，每一所述旁路开关的第一端连接所述晶体管的第二极，每一所述旁路开关的第二端连接对应第二子电阻的第一端。9.根据权利要求6所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述旁路路径包括受选择信号控制的多个旁路开关，每一所述第二子电阻具有靠近所述晶体管的控制极的第一端和靠近所述晶体管的第二极的第二端，每一所述旁路开关的第一端连接所述晶体管的控制极，每一所述旁路开关的第二端连接对应第二子电阻的第二端。10.根据权利要求7-9任一项所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述旁路开...
【专利技术属性】
技术研发人员：张现聚，刘铭，
申请(专利权)人：上海格易电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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