一种低失配高精度基准电压源制造技术

本发明专利技术属于带隙基准源技术领域，具体涉及一种低失配高精度基准电压源。本发明专利技术最大的创新点是将晶体管Q1和Q2的基极相连，并且Q1基极与集电极相连构成BJT电流镜，基极同时与电阻R2相连，这样不仅将PTAT电流I3精确镜像到I1，而且还得到了一个CTAT电流I2，两者结合得到一个零温度系数电流。因为在电流很小时，BJT电流镜的失配远小于MOS电流镜，因此可以在较低的电流下实现低失配，与传统结构相比有效地降低了基准源的失配和功耗。该发明专利技术将晶体管Q2和Q3的基极相连，同时Q2发射极与电阻R3相连，所以电阻R3上的压降精确地等于Q2和Q3的Vbe之差，产生一个高精度的PTAT电流I3，因此与传统结构相比，降低了运算放大器OP1的要求，而且极大地提高了带隙基准源的精度。提高了带隙基准源的精度。提高了带隙基准源的精度。

【技术实现步骤摘要】
一种低失配高精度基准电压源


[0001]本专利技术属于带隙基准源
，具体涉及一种低失配高精度基准电压源。

技术介绍

[0002]传统带隙基准源如图1所示，通过运算放大器的虚短作用，使X1和X2节点的电压相等，因此R2上的压差为正温度系数电压，那么R2流过一个PTAT电流。因为X1节点电压等于X2节点电压，同时Vbe2为负温度系数电压，所以R1流过一个CTAT电流。于是通过M1的电流I1等于电流Ir1和Ir2之和，可以得到零温系数电流，再镜像到M3，实现Vref参考源。这种传统的结构的问题在于两个方面，一是晶体管M1，M2与M3的失配会极大影响带隙基准源的性能，减小失配需要增加晶体管的电流，这需要更高的电源电压和更大的功耗；二是严重依赖X1节点和X2节点电压相等关系，对运放失调很敏感，需要设计高性能运放和增加流过晶体管的电流，这样会增加芯片面积和功耗。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术提出了一种低失配低功耗电压源结构。
[0004]本专利技术的技术方案是：
[0005]一种低失配高精度基准电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低失配高精度基准电压源，其特征在于，包括第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)、第一双极型晶体管(Q1)、第二双极型晶体管(Q2)、第三双极型晶体管(Q3)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一运算放大器(OP1)、第二运算放大器(OP2)，其中，第一晶体管(M1)的源极与VDD连接，漏极接第五晶体管(M5)的源极和第二运算放大器(OP2)的负极输入端，第一晶体管(M1)的栅极接第二晶体管(M2)的栅极、第三晶体管(M3)的栅极和第四晶体管(M4)的栅极；第二晶体管(M2)的源极与VDD连接，漏极接第一双极型晶体管(Q1)的集电极和基极以及二运算放大器(OP2)的正极输入端；第三晶体管(M3)的源极与VDD连接，漏极接第二双极型晶体管(Q2)的集电极和第一运算放大器(OP1)的正极输入端；第四晶体管(M4)的源极与VDD连接，漏极接第三双极型晶体管(Q3)的集电极和第一运算放大器(OP1)的负极输入端；第五晶体管(M5)的源极接第一晶体管(M1)的漏极与第二运算放大器(OP2)的负极输入端，第五晶体管(M5)的漏极通过第四电阻(R4)后接地，第五晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭析竹，肖学超，唐鹤，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：