半导体结构及制备方法技术

本申请实施例提供一种半导体结构及制备方法，其中，所述半导体结构包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括位于衬底表面且依次堆叠的介电层、隔离层、金属层和多晶硅层；其中，所述隔离层的材料包括MX，M表示金属元素，X至少表示为以下其中一种：氧元素或氮元素，且MX中X元素与M元素的配比值不大于预设配比值。与M元素的配比值不大于预设配比值。与M元素的配比值不大于预设配比值。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体结构及制备方法。

技术介绍

[0002]随着金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFETs)的不断发展，晶体管的关键指标栅氧层厚度在不断缩小，但是栅氧层厚度的减薄是有极限的，2纳米(nm)以内的二氧化硅(SiO2)不能再作为理想的绝缘体，SiO2的厚度低于2nm后就会开始出现明显的隧穿漏电，并且随着SiO2厚度的继续减薄，漏电会成指数级上升，1nm以下的SiO2在漏电性能方面的表现完全无法接受。
[0003]相关技术中，通过高介电常数的物质取代SiO2作为栅氧层，但是部分高介电常数物质中的缺失氧会导致器件漏电，使得器件产生可靠性问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体结构及制备方法。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构，所述半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括位于衬底表面且依次堆叠的介电层、隔离层、金属层和多晶硅层；其中，所述隔离层的材料包括MX，M表示金属元素，X至少表示为以下其中一种：氧元素或氮元素，且MX中X元素与M元素的配比值不大于预设配比值。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：介质层，位于所述衬底与所述介电层之间。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：功函数金属层，位于所述金属层和所述隔离层之间。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层为HK介电层；所述HK介电层包括以下至少一种：氧化铪、氮氧化铪、氧化铝、氧化锆或氧化镧。5.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上沉积形成介电层；依次在所述介电层上形成阻挡层和金属层；在所述金属层上形成多晶硅层，以形成堆叠结构；对所述堆叠结构进行热处理，将所述阻挡层转变为隔离层，以形成所述半导体结构；其中，所述隔离层的材料包括MX，M表示金属元素，X至少表示为以下其中一种：氧元素或氮元素，且MX中X元素与M元素的配比值不大于预设配比值。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述依次在所述介电层上形成阻挡层和金属层，包括：将第一反应气体作为反应前驱体，通过所述第一反应气体、惰性气体和金属靶材，在所述介电层上形成所述阻挡层和所述金属层；所述第一反应气体包括X元素；所述金属靶材包括M元素；所述惰性气体包括以下至少一种：氩气、氖气或氦气。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，将具有第一流量的所述第一反应气体作为反应前驱体，通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：查天庸，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：