具有集成数据移动器的存储器芯片制造技术

一种存储器芯片，其具有第一引脚集合，所述第一引脚集合被配置成允许所述存储器芯片经由第一布线耦合到第一微芯片或装置。所述存储器芯片还具有第二引脚集合，所述第二引脚集合被配置成允许所述存储器芯片经由与所述第一布线分开的第二布线耦合到第二微芯片或装置。所述存储器芯片还具有数据移动器，所述数据移动器被配置成便于经由所述第二引脚集合存取所述第二微芯片或装置以从所述第二微芯片或装置读取数据并且将数据写入到所述第二微芯片或装置中。此外，一种系统，其具有所述存储器芯片、所述第一微芯片或装置以及所述第二微芯片或装置。微芯片或装置。微芯片或装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有集成数据移动器的存储器芯片
[0001]相关申请
[0002]本申请主张2019年9月17日提交的并且标题为“具有集成数据移动器的存储器芯片”的第16/573,780号美国专利申请的优先权，所述美国专利申请的全部公开内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本文所公开的至少一些实施例涉及一种具有集成数据移动器的存储器芯片。并且，本文所公开的至少一些实施例涉及在灵活供应存储器芯片串以形成存储器时使用此存储器芯片。

技术介绍

[0004]计算系统的存储器可以是分级的。在计算机架构中经常称为存储器层级的存储器层级可基于某些因数将计算机存储器划分为阶层，所述因数例如为响应时间、复杂性、容量、持久性和存储器带宽。此类因素可以是相关的并且可能通常是折衷，这进一步突出了存储器层级的有用性。
[0005]通常，存储器层级会影响计算机系统中的性能。使存储器带宽和速度优先于其它因素可能需要考虑存储器层级的限制，例如响应时间、复杂度、容量和持久性。为了管理此类优先级排序，可组合不同类型的存储器芯片以平衡更快的芯片与更可靠或更经济的芯片等。各种芯片中的每一个可被视为存储器层级的部分。并且例如为了减少较快芯片上的时延，存储器芯片组合中的其它芯片可通过填充缓冲器，并且接着发送用于激活芯片之间的数据传送的信令来作出响应。
[0006]存储器层级可由具有不同类型的存储器单元的芯片构成。例如，存储器单元可以是动态随机存取存储器(DRAM)单元。DRAM是在存储器单元中存储每个数据位的一类随机存取半导体存储器，所述存储器单元通常包含电容器和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。电容器可经充电或放电，表示位的两个值“0”和“1”。在DRAM中，电容器上的电荷泄漏，因此DRAM需要外部存储器刷新电路，所述外部存储器刷新电路通过恢复每电容器的原始电荷来周期性地重写电容器中的数据。另一方面，对于静态随机存取存储器(SRAM)单元，不需要刷新特征。并且，DRAM被视为易失性存储器，因为其当去除电力时快速地失去其数据。这不同于快闪存储器和其它类型的非易失性存储器，例如其中数据存储更持久的非易失性随机存取存储器(NVRAM)。
[0007]一类NVRAM是3D XPoint存储器。对于3D XPoint存储器，存储器单元与可堆叠交叉网格化数据存取阵列结合基于体电阻的改变而存储位。3D XPoint存储器可比DRAM更经济，但与快闪存储器相比较不经济。
[0008]快闪存储器是另一类型的非易失性存储器。快闪存储器的优点是可经电学擦除和重新编程。快闪存储器被视为具有两个主要类型：NAND型快闪存储器和NOR型快闪存储器，其依照可实施快闪存储器的存储器单元的NAND和NOR逻辑门来命名。快闪存储器单元展现
与对应的门的内部特性类似的内部特性。NAND型快闪存储器包含NAND门。NOR型快闪存储器包含NOR门。NAND型快闪存储器可按可小于整个装置的块来写入和读取。NOR型快闪存储器准许将单个字节独立地写入到经擦除位置或被读取。由于NAND型快闪存储器的优点，此类存储器已经常用于存储卡、USB快闪驱动器和固态驱动器。然而，一般来说使用快闪存储器的主要折衷在于其与例如DRAM和NVRAM等其它类型的存储器相比仅能够在特定块中进行相对较小数目的写入循环。
附图说明
[0009]根据下文给出的具体实施方式并且根据本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。
[0010]图1示出根据本公开的一些实施例的被配置成提供多层存储器的灵活供应的实例存储器系统。
[0011]图2示出根据本公开的一些实施例的被配置成提供多层存储器的灵活供应的实例存储器系统和处理器芯片。
[0012]图3示出根据本公开的一些实施例的被配置成提供多层存储器的灵活供应的实例存储器系统和存储器控制器芯片。
[0013]图4示出根据本公开的一些实施例的被配置成提供具有各自包含多个存储器芯片的层的多层存储器的灵活供应的实例存储器系统。
[0014]图5示出根据本公开的一些实施例的实例计算装置的实例部分。
[0015]图6示出根据本公开的一些实施例的包含具有集成数据移动器的存储器芯片的实例系统。
[0016]图7示出根据本公开的一些实施例的包含图6所示的存储器芯片以及接收从数据移动器传送的数据并且具有用于映射接收到的数据的逻辑到物理映射的微芯片或装置的实例系统。
[0017]图8示出根据本公开的一些实施例的包含图6所示的存储器芯片的实例系统，所述存储器芯片还被示出具有加密和认证电路系统。
具体实施方式
[0018]本文所公开的至少一些实施例涉及一种具有集成数据移动器的存储器芯片(例如，参见图6
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8以及本文中的对应文本)。并且，本文所公开的至少一些实施例涉及在灵活供应存储器芯片串以形成存储器时使用此存储器芯片(例如，参见图1
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8以及本文中的对应文本)。例如，图6
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8所描绘的存储器芯片的一或多个实例可以用作图1
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3所示的存储器芯片串102以及图4所示的存储器芯片串402的灵活供应中的一或多个存储器芯片。
[0019]出于本公开的目的，数据移动器是存储器芯片或装置中的电路，所述电路管理数据到另一存储器芯片或装置的传送。此数据移动器可在存储器层级中的存储器芯片或装置的群组中使用。因此，数据移动器可便于将数据从一个存储器芯片或装置移动到存储器层级中的另一存储器芯片或装置。
[0020]包含集成数据移动器(例如，参见数据移动器608)的存储器芯片(例如，参见存储器芯片602)可以具有用于分别单独连接到第一微芯片或装置(例如，参见图6
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8所示的第一
微芯片或装置624)和第二微芯片或装置(例如，参见图6
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8所示的第二微芯片或装置626)的两个单独的引脚集合(例如，参见图6
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8所示的引脚集合604和606)。第一微芯片或装置可以是处理器，例如芯片上系统(SoC)或另一存储器芯片。第二微芯片或装置可以是另一存储器芯片或存储器装置，例如大容量存储装置。
[0021]在一些实施例中，除了数据移动器之外，存储器芯片可包含加密引擎(例如，参见图8所示的加密引擎802)以保护待移动到第二微芯片或装置的数据。并且，在此类实施例和其它实施例中，存储器芯片可包含网守装置(例如，参见图8所示的网守804)，所述网守装置可执行认证以存取存储在第二微芯片或装置中的数据。
[0022]数据移动器可以使用各种策略将存储在存储器芯片中的数据(例如，参见图6
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8所示的存储器的一部分610具有可由第一微芯片或装置624存取的数据)按其方式组合到第二微芯片或装置。这可改进第二微芯片或装置的写入性能和耐久性。
[0023]通常，存储器芯片可包含第一引脚集合、第二引脚集合和集成数据移动器。所述第一引脚集合可被配置成允许存储器芯片经由第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器芯片，其包括：第一引脚集合，其被配置成允许所述存储器芯片经由第一布线耦合到第一微芯片或装置；第二引脚集合，其被配置成允许所述存储器芯片经由与所述第一布线分开的第二布线耦合到第二微芯片或装置；以及数据移动器，其被配置成便于经由所述第二引脚集合存取所述第二微芯片或装置以从所述第二微芯片或装置读取数据并且将数据写入到所述第二微芯片或装置。2.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中存储在所述存储器芯片的一部分中的数据能由或通过所述第一微芯片或装置经由所述第一引脚集合存取。3.根据权利要求2所述的存储器芯片，其中所述数据移动器被配置成通过将块中的所述数据移动到所述第二微芯片或装置来组合存储在所述存储器芯片的所述一部分中的所述数据。4.根据权利要求3所述的存储器芯片，其中所述块处于比存储在所述存储器芯片的所述一部分中的所述数据更粗的粒度。5.根据权利要求4所述的存储器芯片，其中所述数据移动器被配置成：缓冲对存储在所述存储器芯片的所述一部分中的所述数据的改变的移动；并且归因于所述数据移动器进行的缓冲，以合适大小将写入请求发送到所述第二微芯片或装置。6.根据权利要求5所述的存储器芯片，其中所述数据移动器被配置成：捆绑存储在所述存储器芯片的所述一部分中的所述数据的所述改变中的改变地址；并且经由对所述第二微芯片或装置的写入请求将捆绑的改变地址写入到所述存储器芯片的待移动到所述第二微芯片或装置的另一部分中。7.根据权利要求5所述的存储器芯片，其包括所述第二微芯片或装置的逻辑到物理映射，所述逻辑到物理映射被配置成将所述捆绑的改变地址用作输入。8.根据权利要求5所述的存储器芯片，其中所述第二微芯片或装置包括用于自身的逻辑到物理映射，一旦在对所述第二微芯片或装置的写入请求中发送所述捆绑的改变地址，所述逻辑到物理映射就被配置成将所述捆绑的改变地址用作输入。9.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中所述存储器芯片为非易失性随机存取存储器(NVRAM)芯片，并且其中所述存储器芯片包括多个NVRAM单元。10.根据权利要求9所述的存储器芯片，其中所述多个NVRAM单元为多个3D XPoint存储器单元。11.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中所述存储器芯片为动态随机存取存储器(DRAM...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：