半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的制造方法，其是使用粘合片的半导体装置的制造方法，所述粘合片依次具有含有热膨胀性粒子的粘合剂层(X1)、基材(Y)、及通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层(X2)，且该制造方法包括特定的工序1～5。定的工序1～5。定的工序1～5。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，电子设备的小型化、轻质化及高功能化得到发展，与此相伴地，对于电子设备所搭载的半导体装置，也提出了小型化、薄型化及高密度化的要求。
[0003]在半导体装置的制造过程中，半导体晶片经过通过磨削而使厚度变薄的磨削工序、进行切断分离而进行单片化的单片化工序等而被加工成半导体芯片。此时，半导体晶片在被临时固定于临时固定用片的状态下被实施给定的加工。对于实施了给定的加工而得到的半导体芯片，在从临时固定用片分离之后，根据需要而被适当地实施扩大半导体芯片彼此的间隔的扩片工序、使扩大了间隔后的多个半导体芯片排列的再排列工序、使半导体芯片的表背面翻转的翻转工序等，然后被安装于基板。
[0004]在将半导体芯片安装于基板时，采用的是将半导体芯片经由被称为芯片贴装膜(以下，也称为“DAF”)的具有热固性的膜状粘接剂粘贴于基板的工序。DAF被粘贴于半导体晶片或经过单片化后的多个半导体芯片的一面，在进行半导体晶片的单片化的同时或在粘贴于半导体芯片之后分割本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其是使用粘合片的半导体装置的制造方法，所述粘合片依次具有含有热膨胀性粒子的粘合剂层(X1)、基材(Y)、及通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层(X2)，该方法包括下述工序1～5：工序1：将加工对象物粘贴于所述粘合片所具有的粘合剂层(X2)、将支撑体粘贴于所述粘合片所具有的粘合剂层(X1)的工序；工序2：对所述加工对象物实施选自磨削处理及单片化处理中的一种以上加工处理的工序；工序3：在实施了所述加工处理后的加工对象物的与粘合剂层(X2)相反侧的面粘贴热固性膜的工序；工序4：对所述粘合片进行加热而将粘合剂层(X1)和所述支撑体分离的工序；工序5：对粘合剂层(X2)照射能量射线而将粘合剂层(X2)和所述加工对象物分离的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述加工处理是基于隐形切割法的单片化处理、基于刀片尖端切割法的磨削处理及单片化处理、或基于隐形尖端切割法的磨削处理及单片化处理。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述加工处理是基于隐形尖端切割法的磨削处理及单片化处理。4.根据权利要求1～3中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿久津高志，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：