一种储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置，包括：第一管线、第二管线、第三管线、氦气测漏仪及真空泵，所述第一管线通过第五阀门与容器连接，所述第二管线通过第六阀门与容器连接，所述第三管线与所述真空泵连接。本实用新型专利技术公开了一种储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置，通过对容器内充入氦气能够准确快速的找到漏点，伴热带对容器进行加热，能够更好的除去容器中的水分，将容器中的水分进行快速的置换；另外，只需将容器进行更换，即可对多个容器完成检测，且检测时间短，不需要耗费大量的人力和物力资源，检测成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置


[0001]本技术涉及半导体液体材料生产
，尤其涉及一种储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置。

技术介绍

[0002]制约半导体产业发展很重要一个因素是半导体材料，随着半导体及集成电路制造技术的发展，对材料的要求也越来越高。其中，储存半导体材料的钢瓶对严密性要求极高，在使用前，需对钢瓶的焊缝和连接处进行检测，发现钢瓶存在的漏点。目前普遍是通过人工进行涂刷检漏液及观察测漏点，人工涂刷会造成涂刷不全面而导致观察不全面，进而降低其的安全性。同时，人工涂刷需要耗费大量的人力资源，提高了钢瓶的检测成本。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置，以解决容器检漏安全性低、效率低及成本高的问题。
[0004]为了实现上述目的，本技术的技术方案是：
[0005]一种储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置，包括：第一管线、第二管线、第三管线、第七阀门、氦气测漏仪及真空泵，所述第一管线一端外接氮气，另一端通过第五阀门与容器连接；所述第二管线一端通过第六阀门与容器连接，另一端外接空气；所述第三管线一端外接氦气，另一端与所述真空泵连接；所述第一管线和第二管线均与所述第三管线连接；所述第七阀门设置在所述第三管线上，且所述第七阀门的一侧为第一管线，另一侧为第二管线。
[0006]进一步地，所述第一管线上设有第一阀门和第三阀门，所述第一阀门设置在第一管线外接氮气的一端，所述第三阀门设置在第一管线与容器连接的一端。/>[0007]进一步地，所述第二管线上设有第四阀门和第九阀门，所述第四阀门设置在第二管线与容器连接的一端，所述第九阀门设置在第二管线外接空气的一端。
[0008]进一步地，所述第三管线上还设有第二阀门和第八阀门，所述第二阀门设置在第三管线外接氦气的一端，所述第八阀门设置在第三管线与真空泵连接的一端。
[0009]进一步地，所述容器的外侧设有伴热带。
[0010]本技术公开了一种储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置，通过对容器内充入氦气能够准确快速的找到漏点，伴热带对容器进行加热，能够更好的除去容器中的水分，将容器中的水分进行快速的置换；另外，只需将容器进行更换，即可对多个容器完成检测，且检测时间短，不需要耗费大量的人力和物力资源，检测成本低。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是
本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为本技术储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置结构示意图。
[0013]图中，1、第一阀门，2、第二阀门，3、第九阀门，4、第一管线，5、第三阀门，6、第四阀门，7、第五阀门，8、第六阀门，9、容器，10、伴热带，11、氦气测漏仪，12、真空泵，13、第七阀门，14、第八阀门，15、第二管线，16、第三管线，17、第一压力表，18、第二压力表。
具体实施方式
[0014]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0015]如图1所示为一种储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置，包括：第一管线4、第二管线15、第三管线16、第七阀门13、氦气测漏仪11及真空泵12，所述第一管线4一端外接氮气，另一端通过第五阀门7与容器9连接；所述第二管线15一端通过第六阀门8与容器9连接，另一端外接空气；所述第三管线16一端外接氦气，另一端与所述真空泵12连接；所述第一管线4和第二管线15均与所述第三管线16连接；所述第七阀门13设置在所述第三管线16上，且所述第七阀门13的一侧为第一管线4，另一侧为第二管线15。在本实施例中，所述容器9为钢瓶，其中，第五阀门7和第六阀门8均是容器9上的阀门，第五阀门7、第六阀门8和第七阀门13均为气动阀门。
[0016]进一步地，所述第一管线4上设有第一阀门1和第三阀门5，所述第一阀门1设置在第一管线4外接氮气的一端，所述第三阀门5设置在第一管线4与容器9连接的一端。在本实施例中，第一阀门1和第三阀门5均为气动阀门。
[0017]进一步地，所述第二管线15上设有第四阀门6和第九阀门3，所述第四阀门6设置在第二管线15与容器9连接的一端，所述第九阀门3设置在第二管线15外接空气的一端。在本实施例中，第四阀门6和第九阀门3均为气动阀门。
[0018]进一步地，所述第三管线16上还设有第二阀门2和第八阀门14，所述第二阀门2设置在第三管线16外接氦气的一端，所述第八阀门14设置在第三管线16与真空泵12连接的一端。在本实施例中，第二阀门2和第八阀门14均为气动阀门，其中，第八阀门14为是真空泵12上的阀门。
[0019]进一步地，所述容器9的外侧设有伴热带10。在本实施例中，所述伴热带10采用硅橡胶加热带，通过将硅橡胶加热带插电对容器9进行加热。
[0020]在本实施例中，使用本技术公开的储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置对钢瓶进行真空置换及测漏的工作过程：抽真空
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氮气打压
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放空
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抽真空
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氦气打压
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氦气测漏
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等待灌装。首先检查整个管路及容器的气密性，打开伴热带10对钢瓶9进行加热，温度控制在95℃至105℃，打开真空泵12、第四阀门6、第六阀门8和第八阀门14对钢瓶9抽到绝对真空后，将第八阀门14关闭。通入氮气进入容器9内，打开第一阀门1，第三阀门5、第五阀门7，观察第一压力表17和第二压力表18使容器9的压力达到0.2
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0.3MPa，关闭第五阀门7，
打开第六阀门8、第四阀门6和第九阀门3，将容器9内的压力放空至常压后，关闭第九阀门3，打开真空泵12和第八阀门14，将容器9抽至绝对真空，关闭真空泵12和第四阀门6、第六阀门8和第八阀门14，打开第五阀门7继续将容器9加压至0.2
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0.3MPa，按此方式进行氮气置换重复3
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5次；置换完成后，将容器9抽至绝对真空，关闭伴热带11、关闭第一阀门1，打开第二阀门2，观察第一压力表17和第二压力表18使容器9进行氦气加压至0.2
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0.5MPa，加压完成后，关闭第二阀门2、第三阀门5和第五阀门7，使用氦气测漏仪11对容器的焊缝处、阀门管件连接处、及阀门等处进行氦气检测，符合测试标准后，等待对其容器进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置，其特征在于，包括：第一管线(4)、第二管线(15)、第三管线(16)、第七阀门(13)、氦气测漏仪(11)及真空泵(12)，所述第一管线(4)一端外接氮气，另一端通过第五阀门(7)与容器(9)连接；所述第二管线(15)一端通过第六阀门(8)与容器(9)连接，另一端外接空气；所述第三管线(16)一端外接氦气，另一端与所述真空泵(12)连接；所述第一管线(4)和第二管线(15)均与所述第三管线(16)连接；所述第七阀门(13)设置在所述第三管线(16)上，且所述第七阀门(13)的一侧为第一管线(4)，另一侧为第二管线(15)。2.根据权利要求1所述的一种储存半导体材料的容器真空置换及测漏装置，其特征在于，所述第一管线(4)上设有第一阀门(1)和第三阀门(5)，所述第一阀门(1)设置在第一管线...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鹏，邓涛，魏学成，刘长城，张霞，陈文全，耿双萍，
申请(专利权)人：大连恒坤新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：