【技术实现步骤摘要】
适用于制备低电阻薄膜的石墨载具
[0001]本技术涉及石墨载具
,尤其涉及一种适用于制备低电阻薄膜的石墨载具。
技术介绍
[0002]石墨载具作为镀膜工艺生产时镀膜基材的载体,可以把我们需要定位或定型的原材料和零部件一起放于石墨载具中,石墨载具的结构中有很多具有一定间隔的舟片,而在两个相邻舟片之间有一个距离很窄的空间,空间两侧放置镀膜基材,石墨具有良好的导电和导热性能。
[0003]现有技术中所述石墨舟套管包括具有一沿轴向方向贯通的圆柱形腔体的套管本体;所述套管本体的管壁外周上具有至少一圈槽状结构,所述槽状结构被构造为包括开设于管壁外表面的窄槽以及开设于管壁内的宽槽;所述窄槽与外部连通,所述宽槽与窄槽连通,以在管壁外周形成至少一处用于遮挡宽槽槽壁上薄膜沉积的悬挂壁结构,通过槽状结构以及在管壁外周形成的用于遮挡槽状结构槽壁处沉积的悬挂壁结构,以避免镀膜后在舟片之间形成连续的薄膜,降低或消除沉积在石墨舟套管的薄膜对舟片之间的电场产生的影响。槽状结构的结构复杂,还存在相邻舟页电位相同,无法引起辉光放电,导致镀膜减慢或
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于制备低电阻薄膜的石墨载具,其特征在于,包括:连接组件;固定件,包括若干第一固定件和若干第二固定件,且所述若干第一固定件和所述若干第二固定件的两端部分别与所述连接组件连接;第一连接杆,贯穿连接所述若干第一固定件和所述若干第二固定件,且所述第一连接杆与所述若干第一固定件和所述若干第二固定件中的任意一种接触设置,所述第一固定件和所述第二固定件交替设置。2.根据权利要求1所述的适用于制备低电阻薄膜的石墨载具,其特征在于,还包括第二连接杆,所述第二连接杆贯穿连接所述若干第一固定件和所述若干第二固定件,所述若干第一固定件与所述第一连接杆和所述第二连接杆中的任意一种接触设置;所述若干第二固定件与所述第一连接杆和所述第二连接杆中的另一种接触设置。3.根据权利要求2所述的适用于制备低电阻薄膜的石墨载具,其特征在于,还包括若干第三连接装置,所述第三连接装置为所述第一连接杆和所述第二连接杆中的任意一种。4.根据权利要求2所述的适用于制备低电阻薄膜的石墨载具,其特征在于,所述第一固定件开设有第一贯穿孔,所述第二固定件开设有第二贯穿孔,所述第一连接杆与所述第一贯穿孔和所述第二贯穿孔中的任意一种未接触设置,所述第一连接杆的外壁到所述第一贯穿孔和所述第二贯穿孔中的任意一个的内壁的距离为第一径向长度,且所述第一径向长度为2~5mm。5.根据权利要求4所述的适用于制备低电阻薄膜的石墨载具,其特征在于,所述第二连接杆与所述第一贯穿孔和所述第二贯穿孔中的任意一种未接触设置,所述第二连接杆的外壁到所述第一贯穿孔和所述第二贯穿孔中的任意一个的内壁的距离为第二径向长...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱家宽,张开江,陆勇,戴虹,钟文兵,孙海晨,
申请(专利权)人:理想晶延半导体设备上海股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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