被大体积基团取代的三嗪化合物制造技术

技术编号：33213216 阅读：23 留言：0更新日期：2022-04-27 16:49

本发明专利技术涉及一种根据式(I)的三嗪化合物，其中L＝苯亚基或萘亚基，并且其中G1具有式(2)，其中式(2)的G1在选自标记有式(A)、(B)和(C)的位置中的一个位置处连接到式(1)并且所述化合物适合用作用于电子器件的层材料，并且本发明专利技术还涉及一种包含至少一种根据式(1)的化合物的有机半导体层和包含至少一个有机半导体层的有机电子器件及其制造方法。体层的有机电子器件及其制造方法。体层的有机电子器件及其制造方法。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】被大体积基团取代的三嗪化合物

[0001]本专利技术涉及适合用作电子器件的层材料的三嗪化合物，特别是被大体积基团取代的三嗪化合物，还涉及包含其中至少一种化合物的有机半导体层以及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]诸如作为自发光发光器件的有机发光二极管OLED的有机电子器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依次层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴通过HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时发出光。应当平衡空穴和电子的注入和流动，从而使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长的寿命。
[0004]有机发光二极管的性能会受到有机半导体层的特性的影响，其中会受到有机半导体层的有机材料的特性的影响。
[0005]特别地，需要开发能够增加电子迁移率并同时提高电化学稳定性的有机材料，使得可以将诸如有机发光二极管的有机电子器件应用于大尺寸平板显示器。
[0006]此外，需要开发能够在更高的电流密度下并由此在更高的亮度下具有延长的寿命的有机材料。
[0007]仍然需要改进有机半导体层、有机半导体材料及其有机电子器件的性能，特别是通过改善其中所包含的三...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种根据式I的三嗪化合物：其中式I对于L＝苯亚基，式I由式1表示：并且其中式I对于L＝萘亚基，式I由式1a表示：其中G1具有式2：其中式2的G1在一个位置处连接到式1，所述一个位置选自标记有
“①
、
②
和
④”
的位置；X为O、S或Se；a、b、c、d、e选自0或1，其中2≤a+b+c+d+e≤5；n选自0、1或2，Ar1选自H、C1‑
C
16
烷基、取代或未取代的C6‑
C
40
芳基、取代或未取代的C3‑
C
40
杂芳基，其中取代的C6‑
C
40
芳基和取代的C3‑
C
40
杂芳基的取代基选自C1‑
C
16
烷基、C1‑
C
16
烷氧基、C3‑
C
16
支链的烷基、C3‑
C
16
环状的烷基、C3‑
C
16
支链的烷氧基、C3‑
C
16
环状的烷氧基、部分或全氟化的C1‑
C
16
烷基、部分或全氟化的C1‑
C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1‑
C
16
烷基、部分或全氘化的C1‑
C
16
烷氧基、C6‑
C
24
芳基、C3‑
C
25
杂芳基、
‑
PX(R1)2、D、F或CN，其中R1独立地选自C1‑
C
16
烷基、C1‑
C
16
烷氧基、部分或全氟化的C1‑
C
16
烷基、部分或全氟化的C1‑
C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1‑
C
16
烷基、部分或全氘化的C1‑
C
16
烷氧基、C6‑
C
18
芳基、C3‑
C
25
杂芳基；Ar2、Ar3、Ar4、Ar5和Ar6独立地选自取代或未取代的C6‑
C
12
芳基或者取代或未取代的C4‑
C
10
杂芳基，其中取代的C6‑
C
12
芳基或取代的C4‑
C
10
杂芳基的取代基选自C1‑
C6烷基、C1‑
C6烷氧基、部分或全氘化的C1‑
C6烷基、部分或全氘化的C1‑
C6烷氧基、部分或全氟化的C1‑
C6烷基、部分或全氟化的C1‑
C6烷氧基、D、F或CN。2.根据权利要求1所述的式1的三嗪化合物，其中X选自O或S，优选为O。3.根据权利要求1或2所述的式1的三嗪化合物，其中Ar1选自C1‑
C
12
烷基、取代或未取代的C6‑
C
24
芳基或者取代或未取代的C3‑
C
36
杂芳基，其中取代的C6‑
C
24
芳基和取代的C3‑
C
36
杂芳基的取代基选自C1‑
C
12
烷基、C1‑
C
12
烷氧基、部分或全氟化的C1‑
C
12
烷基、部分或全氟化的C1‑
C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1‑
C
12
烷基、部分或全氘化的C1‑
C
16
烷氧基、C6‑
C
18
芳基、C3‑
C
25
杂芳基、D、F或CN，优选地选自C1‑
C
12
烷基。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的式1的三嗪化合物，其中Ar1选自未取代的C6‑
C
24
芳基，优选C6或C
12
芳基。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的式1的三嗪化合物，其中Ar1独立地选自B1至B3、B3a、B4至B77，其中a)B1至B6是取代或未取代的非杂芳基基团：取代或未取代的非杂芳基基团：或b)B7至B23是取代或未取代的增环的非杂芳基基团：
或c)B24至B31是二苯并呋喃/二苯并噻吩基团：c)B24至B31是二苯并呋喃/二苯并噻吩基团：或者d)B32至B34是未取代的吡啶基团：
或者e)B35至B62是未取代或取代的杂芳亚基基团：
或者f)B63至B65是未取代的增环的杂芳亚基基团：或者g)B66和B67是腈取代的苯基基团或者h)B68至B70是腈取代的联苯基基团或者
i)B71至B77是咔唑基团其中取代基R2独立地选自H、C1‑
C
16
烷基、部分或全氟化的C1‑
C
16
烷基、部分或全氘化的C1‑
C
16
烷基、C1‑
C

【专利技术属性】
技术研发人员：埃莱娜，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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