Ce(IV)金属络合物，包含阳极层、阴极层和电荷产生层的有机电子器件，其中所述电荷产生层含有n型电荷产生层和包含所述Ce(IV)金属络合物的p型电荷产生层制造技术

本发明专利技术涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包含p型电荷产生层和n型电荷产生层，其中所述n型电荷产生层包含有机电子传输化合物和金属掺杂剂，其中所述金属掺杂剂选自按鲍林标度电负性≤1.4eV的金属；所述p型电荷产生层包含有机空穴传输化合物和Ce(IV)金属络合物，其中所述Ce(IV)金属络合物包含至少一个阴离子配体L。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种ce(iv)金属络合物，一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包括n型电荷产生层和包含所述ce(iv)金属络合物的p型电荷产生层。本专利技术还涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包括p型电荷产生层和n型电荷产生层，其中所述p型电荷产生层包含至少一种第一有机空穴传输化合物和至少一种式(i)的ce(iv)金属络合物。

技术介绍

1、作为自发光器件的有机电子器件，如有机发光二极管oled，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性以及色彩再现。典型的oled包括阳极、空穴传输层htl、发光层eml、电子传输层etl和阴极，它们依次层叠在基底上。就此而言，所述htl、所述eml和所述etl是由有机化合物形成的薄膜。

2、当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴通过htl移动到eml，而从阴极注入的电子通过etl移动到eml。空穴和电子在eml中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时发出光。空穴和电子的注入和流本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包含p型电荷产生层和n型电荷产生层，

2.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包含p型电荷产生层和n型电荷产生层，

3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中所述Ce(IV)金属络合物具有式(Ia)：

4.根据权利要求2或3中的任一项所述的有机电子器件，其中

5.根据权利要求2至4中的任一项所述的有机电子器件，其中A1和A2中的至少一个包含取代基，其中A1和A2的取代基中的至少一个独立地选自C3至C9杂...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包含p型电荷产生层和n型电荷产生层，

2.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包含p型电荷产生层和n型电荷产生层，

3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中所述ce(iv)金属络合物具有式(ia)：

4.根据权利要求2或3中的任一项所述的有机电子器件，其中

5.根据权利要求2至4中的任一项所述的有机电子器件，其中a1和a2中的至少一个包含取代基，其中a1和a2的取代基中的至少一个独立地选自c3至c9杂芳基、c1至c6烷氧基、c3至c6支链烷氧基、c3至c6环状烷氧基、部分氟化或全氟化的c1至c16烷基、部分氟化或全氟化的c1至c16烷氧基、部分氘化或全氘化的c1至c6烷氧基、cor1、coor1、卤素、f或cn；优选a1和a2中的至少一个包含至少两个取代基，其中a1和a2上的取代基独立地选自c3至c9杂芳基、c1至c6烷氧基、c3至c6支链烷氧基、c3至c6环状烷氧基、部分氟化或全氟化的c1至c16烷基、部分氟化或全氟化的c1至c16烷氧基、部分氘化或全氘化的c1至c6烷氧基、cor1、coor1、卤素、f或cn；更优选a1和a2包含至少一个取代基，所述至少一个取代基独立地选自卤素、f、cf3、c2f5、c3f7、c4f9、ocf3、oc2f5或cn；此外优选a1和a2可包含至少两个取代基，所述至少两个取代基独立地选自卤素、f、cf3、c2f5、c3f7、c4f9、ocf3、oc2f5或cn；

6.根据权利要求2至5中的任一项所述的有机电子器件，其中a...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉迪米尔·乌瓦罗夫，斯特芬·维尔曼，乌尔里希·赫格曼，皮尔马里亚·平特，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：