适用于直写式3D打印的单组份硅胶介质、制备方法及应用技术

本发明专利技术提供一种适用于直写式3D打印的单组份硅胶介质、制备方法及应用，所述单组份硅胶介质的粘度为200～1000Pa

【技术实现步骤摘要】
适用于直写式3D打印的单组份硅胶介质、制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及材料制备领域，特别涉及一种适用于直写式3D打印的单组份硅胶介质、制备方法及应用。

技术介绍

[0002]3D打印作为一类新型的精密加工制造技术，其特点在于该类技术在制造过程中采用从无到有的顺序增材制造工艺，而传统的工艺采取的往往是逐渐减去多余材料从有到无的减材制造工艺。与传统的制造工艺相比，增材制造的3D打印技术具有更高的灵活性和实用性。其中，目前较为常见的3D打印技术有:熔融沉积((FDM)、立体光固化(DLP、CLIP或PolyJet)、选择性激光烧结(SLA、SLS)和三维打印成型(3DP)等，然而这些3D打印技术均无法使用硅胶类介质材料进行精密结构的打印。
[0003]直写式打印(direct ink writing，DIW)作为一种新兴3D打印技术，该技术通过从打印喷嘴中挤出具有剪切变稀性质的半固态墨水材料,并将墨水层层堆叠后构筑出预先设计的三维结构，目前已广泛应用在电子器件、结构材料、组织工程以及软机器人等领域，该类技术能够很好地契合硅胶类介质材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于直写式3D打印工艺的单组份硅胶介质，其特征在于，所述单组份硅胶介质的粘度为200～1000Pa
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s，在室温下存放超30天粘度变化值≤10％。2.根据权利要求1所述的适用于直写式3D打印工艺的单组份硅胶介质，其特征在于，由以下方法制备得到：S1:混合含碳双键的聚硅氧烷、增粘剂以及铂金催化剂得到第一混合料；S2:升温所述第一混合料保持第一时长，加入阻聚剂保持第二时长得到第二混合料；S3:降温所述第二混合料，混合所述第二混合料和含氢聚硅氧烷得到第三混合料；S4:混合所述第三混合料和无机纳米填料得到第四混合料；S5:对所述第四混合料依次进行真空脱泡、加压过滤，得到单组份硅胶介质。3.一种适用于直写式3D打印工艺的单组份硅胶介质的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1:混合含碳双键的聚硅氧烷、增粘剂以及铂金催化剂得到第一混合料；S2:升温所述第一混合料保持第一时长，加入阻聚剂保持第二时长得到第二混合料；S3:降温所述第二混合料，混合所述第二混合料和含氢聚硅氧烷得到第三混合料；S4:混合所述第三混合料和无机纳米填料得到第四混合料；S5:对所述第四混合料依次进行真空脱泡、加压过滤，得到单组份硅胶介质。4.根据权利要求3所述的适用于直写式3D打印工艺的单组份硅胶介质的制备方法，其特征在于，所述含碳双键的聚硅氧烷为乙烯基聚硅氧烷、甲基乙烯基聚硅氧烷、甲基苯基乙烯基聚硅氧烷中的至少一种。5.根据权利要求3所述的适用于直...

【专利技术属性】
技术研发人员：李深，严俊秋，朱晓艳，陈小朋，
申请(专利权)人：芯体素杭州科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：