一种钝化CdTe太阳电池及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种钝化CdTe太阳电池及其制造方法，在TCO和缓冲层之间采用非平整凸起状结构的MgZnO或SnO2窗口层，凸起状结构可以起到钝化提升开压的作用，同时还能起到陷光作用，提升光吸收和发电效率。提升光吸收和发电效率。提升光吸收和发电效率。

【技术实现步骤摘要】
一种钝化CdTe太阳电池及其制造方法


[0001]本专利技术属于光伏电池
，特别是涉及一种钝化CdTe太阳电池及其制造方法。

技术介绍

[0002]碲化镉(CdTe)太阳能电池理论光电转化效率高达28％，具有制作方便、质量轻、制造成本低及光电性能优异等优势，具有广阔的发展空间。CdTe太阳电池以p型CdTe和n型CdS/CdSe的异质结为基础，可吸收95％以上的阳光。一般CdTe太阳能电池包括：透光支撑衬底，主要对CdTe太阳能电池起支架、防止污染和入射太阳光的作用；透明导电氧化层，主要起透光和导电的作用；CdS/CdSe缓冲层，提供n型半导体；CdTe吸收层，作为主体吸光层，并与n型的CdS窗口层形成p
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n结；背接触层和背电极，引出电流。对CdTe太阳电池的效率优化需要钝化减少载流子复合以提升开压，降低串阻提升短路电流，结构设计获得良好的光吸收，因此，开发一种提升光吸收的钝化CdTe太阳电池结构实属必要。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种钝化CdTe太本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钝化CdTe太阳电池的制造方法，其特征在于，包括步骤：1)提供一个带有透明底电极的透明衬底层，在所述透明底电极上通过掩膜溅射窗口层材料，所述掩膜为采用带有均匀密集小孔的掩模版，小孔直径1～10μm，小孔间距1～10μm，以在所述透明底电极上形成均匀密集的窗口层材料凸起；2)在所述带有均匀密集的窗口层材料凸起的透明底电极上沉积CdS/CdSe缓冲层；在CdS/CdSe缓冲层上沉积CdTe光吸收层，通过活化退火工序对所述CdTe光吸收层进行活化退火处理；3)在所述CdTe光吸收层上沉积一层背接触层；4)采用第一激光器刻线，刻断透明底电极、窗口层、缓冲层和光吸收层，将整个膜层分割为多个电池单元；5)涂覆光刻胶，经过衬底方向紫外光曝光显影，以填充第一激光器的刻线；6)清洗未曝光光刻胶，采用第二激光器在每个紧邻第一激光器刻线处旁边刻线，刻断窗口层、缓冲层和光吸收层；7)在整个膜面沉积背电极；8)采用第三激光器在每个紧邻第二激光器刻线处旁边刻线，刻断缓冲层、光吸收层和背电极，所述第一激光器、第二激光器和第三激光器刻线依次排列，得到多个电池单元串联的CdTe太阳电池。2.根据权利要求1所述的钝化CdTe太阳电池的制造方法，其特征在于：所述透明衬底层为超白玻璃基板、钢化玻璃基板、有机玻璃基板；所述底电极的材料为ITO导电膜层、FTO导电膜层和AZO导电膜层中的一种。3.根据权利要求1所述的钝化CdTe太阳电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，马立云，汪元元，殷新建，吴一民，陈瑛，储静远，盖琳琳，
申请(专利权)人：中国建材国际工程集团有限公司，
类型：发明
国别省市：