一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置及控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置及控制方法，控制装置包括：靶、恒压电源以及设置于靶后方的磁场模块，磁场模块包括永磁铁和控制模块，永磁铁根据控制模块输入的控制参数的不同而改变位置，即改变磁铁距离靶的距离。本发明专利技术的阴极靶材刻蚀速率控制方法采用恒压电源提供恒定的阴极放电电压，使放电过程中轰击靶面的离子能量恒定。通过改变永磁铁的位置调节磁场分布，保证轰击靶面的离子流密度相对恒定，增强靶材刻蚀过程中刻蚀速度和镀膜品质的稳定性。膜品质的稳定性。膜品质的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置及控制方法


[0001]本专利技术涉及磁控溅射镀膜技术，尤其涉及一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置及控制方法。

技术介绍

[0002]磁控溅射镀膜技术是应用于镀制半导体器件薄膜、超导薄膜、信息显示器件薄膜、节能玻璃薄膜、透明导电玻璃薄膜等功能性薄膜领域的主要镀膜技术，也是应用于镀制手机与手表外壳薄膜、彩色玻璃幕墙薄膜、眼镜架表面薄膜等装饰薄膜领域的主要镀膜技术。这种技术依靠电场电离气体产生气体离子和电子，并通过磁场将电子束缚在一定范围内，使局部电子密度升高，反过来又电离出更多的气体离子，同时由带负电位的阴极吸引离子轰击靶面，实现靶材的刻蚀，将靶材原子或原子团等轰击下来，最终沉积到基片表面，实现在温升不大的情况下获得致密的薄膜。通常，阴极靶面上方的磁场分布是不均匀的，这将导致靶材刻蚀的不均匀，具体表现为同一靶材的不同刻蚀阶段的放电参数会发生变化，刻蚀速率也会发生改变。
[0003]针对这一问题，众多专家学者做了大量的研究工作，以增强磁控溅射镀膜工艺过程的稳定性。
[0004]专利CN211本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置，其特征在于，所述结构包括靶模块、恒压电源以及设置于靶模块后方的磁场模块，所述靶模块包括靶材、水冷背板、安装板、外壳体和上盖板；所述磁场模块包括永磁铁和控制模块，控制模块由磁场移动装置构成；所述永磁铁与磁场移动装置设置于外壳体内部；所述外壳体的内部还设置轭铁，所述轭铁的位置由磁场移动装置控制；所述水冷背板固定于安装板上，所述靶材固定于水冷背板上。2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置，其特征在于，所述上盖板固定于外壳体上，所述外壳体固定于安装板上；所述水冷背板背面设置有进出水管，自水冷背板的左下角进水、右上角出水；所述外壳体内部还设置圆柱磁铁安装座及接线柱，所述圆柱磁铁安装座以及接线柱底端固定于安装板上，接线柱设置于所述水冷背板的背面，与恒压电源连接。3.根据权利要求2所述的一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置，其特征在于，所述永磁铁包括条形磁铁和圆柱磁铁，所述条形磁铁包括外圈条形磁铁和中间条形磁铁，所述条形磁铁全部固定于轭铁上，与轭铁同步移动；所述圆柱磁铁固定于圆柱磁铁安装座内。4.根据权利要求3所述的一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置，其特征在于，所述磁场移动装置包括直线轴承、滑杆、磁铁安装座及千分尺旋钮型精密滑台。5.根据权利要求4所述的一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置，其特征在于，所述直线轴承包括控制条形磁铁往复移动的进给轴承和圆柱磁铁往复移动的进给轴承。6.根据权利要求4所述的一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置，其特征在于，所述磁场移动装置还包括承重轴承。7.根据权利要求5所述的一种磁控溅射阴极靶...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔺增，毕诗博，刘兴龙，邓方昱，孙彬，
申请(专利权)人：沈阳添和毅科技有限责任公司泰山科学技术研究院，
类型：发明
国别省市：