加热样品台及具有其的真空镀膜系统技术方案

本发明专利技术公开了加热样品台及具有其的真空镀膜系统，涉及真空镀膜设备技术领域，包括加热器和样品台，所述样品台用于承载基片，所述加热器位于所述样品台上方由不透光材料围成的加热腔中，所述加热器连接测温探头和控制器，所述测温探头用于检测基片的温度，所述测温探头朝向所述样品台且位于所述样品台的上方，所述样品台连接有转轴并由所述转轴带动旋转。本发明专利技术能够解决现有技术中样品台加热效率低下、安装维护不便、加热温度不均或控制反馈迟滞等问题，易于实施且控温效果更好。易于实施且控温效果更好。易于实施且控温效果更好。

【技术实现步骤摘要】
加热样品台及具有其的真空镀膜系统


[0001]本专利技术涉及真空镀膜设备
，具体涉及加热样品台及具有其的真空镀膜系统。

技术介绍

[0002]在真空镀膜工艺中，对基板加热可在一定程度上解决基板的翘曲变形问题，提高成膜均匀性。传统真空镀膜工艺中基板的加热多采用电阻丝加热的方式，电阻丝通电产生热量，热量传递给承载基板的样品台，样品台温度升高将热量传递给基板，加热效率低下，能量利用率低，控温精度不高；样品台设于狭窄的蒸镀腔内，安装维护不便。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种能够解决现有技术中样品台加热效率低下、安装维护不便、加热温度不均或控制反馈迟滞等问题的加热样品台及具有其的真空镀膜系统。本专利技术提供的技术方案为：
[0004]加热样品台，包括加热器和样品台，所述样品台用于承载基片，所述加热器位于所述样品台上方由不透光材料围成的加热腔中，所述加热器连接测温探头和控制器，所述测温探头用于检测基片的温度，所述测温探头朝向所述样品台且位于所述样品台的上方，所述样品台连接有转轴并由所述转轴带动旋转。
[0005]可选地，所述测温探头为非接触式，所述测温探头与所述样品台之间设有透光板，所述测温探头位于所述加热腔上方。
[0006]可选地，所述加热腔由安装板、遮光筒和环板包围，所述遮光筒位于所述安装板和所述环板之间，所述环板的中央开设有圆孔，所述样品台与所述圆孔配合设置。
[0007]可选地，所述样品台下方设有可转动的基片挡板，所述基片挡板由转轴驱动，所述基片挡板的安装高度可调节。所述基片挡板用于阻挡靶材蒸汽。
[0008]可选地，所述遮光筒包括相互连接的上筒和下筒，所述上筒和所述安装板连接，所述上筒包括若干套叠的子筒，所述下筒通过可调节支架与所述安装板连接，所述下筒上设有灯管支架。
[0009]可选的，所述下筒内设有光路筒，所述光路筒位于所述测温探头的下方，所述光路筒为中空筒体结构，所述光路筒的下端接近所述样品台。
[0010]可选地，所述加热器包括短波红外灯管，所述短波红外灯管为平面环形，所述短波红外灯管所在的平面与所述样品台平行，所述短波红外灯管连接有穿过所述安装板的导线。
[0011]可选地，所述安装板上安装有致动器一和致动器二，所述致动器一与所述样品台连接，所述致动器二与所述基片挡板连接，所述安装板的边缘设置有多个连接件。
[0012]可选地，所述遮光筒的中部截面积小于两端截面积，所述遮光筒具有缝隙，所述遮光筒的两端分别与所述安装板和所述环板紧密抵靠。
[0013]可选地，所述安装板和所述环板均为圆形，所述环板的外径小于所述安装板的外径。
[0014]可选地，所述遮光筒的内壁上设有反光材料。
[0015]可选地，所述样品台水平安装。
[0016]为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种真空镀膜系统，包括蒸镀腔体和设于所述蒸镀腔体内的所述的加热样品台。
[0017]采用本专利技术提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：
[0018](1)加热腔能够在样品台上方形成温度较为稳定的空间，降低了温度调节的难度，留住更多加热器释放的热量，采用短波红外线加热，短波红外灯管为平面环形结构，发热面积和范围较大，升温迅速，发热均匀，兼具辐射、热对流和热传导三种传热方式，加热效率高；
[0019](2)遮光筒内壁的反光材料进一步集聚热量，配置PID控温系统，基片温度控制的准确性更好，进而提高真空镀膜的成膜均匀性；
[0020](3)采用短波红外测温探头，非接触式测温，安全性更好，测温探头本身得以设于蒸镀腔体之外，免除蒸镀腔体内的不利影响，在样品台旋转时仍可同步测温，通过样品台的旋转，测温探头可采集到基片上不同位置的温度；
[0021](4)安装板可实现与蒸镀腔体的可拆卸连接，环板的外径小于安装板的直径允许从蒸镀腔体上方取出整个加热样品台，便于部件安装和维护；基片温度范围150～600℃，测温探头测量精度可达1℃，允许获得更大的操作自由度。
附图说明
[0022]图1为本专利技术实施例提出的加热样品台的立体图一；
[0023]图2为本专利技术实施例提出的加热样品台的立体图二；
[0024]图3为本专利技术实施例提出的加热样品台的短波红外灯管结构示意图；
[0025]图4为本专利技术实施例提出的加热样品台的局部剖视图；
[0026]图5为本专利技术实施例提出的加热样品台的俯视图。
[0027]附图标记：1、样品台；2、短波红外灯管；3、致动器一；4、致动器二；5、测温探头；6、安装板；7、遮光筒；8、环板；9、透光板；10、基片挡板；11、上筒；12、下筒一；13、下筒二；14、可调节支架；15、灯管支架；16、光路筒。
具体实施方式
[0028]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0029]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，一体地连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0030]如图1和2所示的加热样品台1，包括加热器和圆形样品台1，样品台1用于承载基片，样品台1上均布有多个用于安装基片的安装孔，加热器位于样品台1上方由不透光材料围成的加热腔中，加热器连接测温探头5和控制器(图中未示出)，优选地，测温探头5为非接触式红外测温探头5，控制器为PID控制器，PID控制器(比例积分微分控制器)由比例单元(P)、积分单元(I)和微分单元(D)组成；测温探头5用于检测基片的温度，测温探头5的测量精度小于或等于1℃，测温探头5朝向样品台1且位于样品台1的上方，由于基片安装于样品台1上，探测样品台1即可间接获取基片温度；测温探头5与样品台1之间设有透光板9，测温探头5位于加热腔上方，圆形样品台1的中心可拆卸地连接有转轴并由转轴带动旋转，转轴通过联轴器连接致动器一3。样品台1下方设有可移动的基片挡板10，基片挡板10用于阻挡靶材蒸汽，基片挡板10由转轴驱动并可绕该转轴转动，该转轴通过联轴器连接致动器二4，基片挡板10与该转轴可拆卸连接，基片挡板10的安装高度可调节。
[0031]加热腔自上而下由安装板6、遮光筒7和环板8包围，遮光筒7位于安装板6和环板8之间，遮光筒7还用于挡光和促进加热腔的温度稳定性，遮光筒7的横截面可以为方形或圆形，安装板6和环板8均为圆形，环板8的外径小于安装板6的外径，以便于将加热样品台1从蒸镀腔体中拆出，环板8通过圆周均布的三根螺杆与安装板6连接，螺杆的两端具有螺纹，螺杆通过垫片和螺母实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.加热样品台，其特征在于，包括加热器和样品台，所述样品台用于承载基片，所述加热器位于所述样品台上方由不透光材料围成的加热腔中，所述加热器连接测温探头和控制器，所述测温探头用于检测基片的温度，所述测温探头朝向所述样品台且位于所述样品台的上方，所述样品台连接有转轴并由所述转轴带动旋转。2.根据权利要求1所述的加热样品台，所述测温探头为非接触式，所述测温探头与所述样品台之间设有透光板，所述测温探头位于所述加热腔上方。3.根据权利要求1或2所述的加热样品台，所述加热腔由安装板、遮光筒和环板包围，所述遮光筒位于所述安装板和所述环板之间，所述环板的中央开设有圆孔，所述样品台与所述圆孔配合设置。4.根据权利要求3所述的加热样品台，所述样品台下方设有可转动的基片挡板，所述基片挡板由转轴驱动，所述基片挡板的安装高度可调节。5.根据权利要求3所述的加热样品台，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵建鑫，冯旭光，李通光，
申请(专利权)人：布劳恩惰性气体系统上海有限公司，
类型：发明
国别省市：