一种抗漂移的双气敏膜气体传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种抗漂移的双气敏膜气体传感器，属于气敏传感器技术领域，包括基底、加热电极及多个气敏单元，所述加热电极及多个所述气敏单元间隔设置在所述基底上，所述气敏单元包括构成至少两个插齿电极的至少三个测量电极和至少两个气敏膜，所述至少三个测量电极间隔设置在所述基底上，至少两个所述气敏膜分别由纯金属氧化物和与改性材料制作而成，至少两个所述气敏膜分别覆盖在所述至少两个插齿电极上。与现有技术相比，本发明专利技术提供的抗漂移的双气敏膜气体传感器，结构简单，适用性较好，提高了气体传感器的敏感性和稳定性。提高了气体传感器的敏感性和稳定性。提高了气体传感器的敏感性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种抗漂移的双气敏膜气体传感器


[0001]本专利技术属于气敏传感器
，更具体地说，涉及一种抗漂移的双气敏膜气体传感器。

技术介绍

[0002]日常生活中，我们身边充斥着各种各样的气体，各种气体的浓度承载着很多重要信息，随着人们对气体浓度的研究不断深入，气体传感器被广泛应用于环境监测、节能减排、工业过程控制、疾病检测、公共安全等领域。
[0003]目前主流的气体传感器主要分为金属氧化物半导体(MOX)传感器、催化燃烧式传感器、电化学传感器等。由于具有低功耗、低价格、可微型化等诸多优点，MOX传感器得到最为广泛的应用。MOX传感器的检测原理是基于气体在传感器表面的化学吸附与脱附。然而在高温下金属氧化物气敏膜颗粒会长大，导致传感器内部导电通道改变，进而导致传感器产生空气电阻漂移，这种漂移在检测高浓度气体时不会产生很大的误差，但在检测低浓度气体时，微弱的电阻漂移就会导致较大的误差。
[0004]为了解决上述技术问题，专利文献CN104569061B中公开了一种金属氧化物半导体气体传感器，此专利公开了通过将检测层设置为包括不同比表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗漂移的双气敏膜气体传感器，包括基底、加热电极及多个气敏单元，所述加热电极及多个所述气敏单元间隔设置在所述基底上，其特征在于，所述气敏单元包括构成至少两个插齿电极的至少三个测量电极和至少两个气敏膜，所述至少三个测量电极间隔设置在所述基底上，所述至少两个气敏膜分别由纯金属氧化物和改性材料制作而成，所述至少两个气敏膜分别设置且覆盖在所述至少两个插齿电极上。2.根据权利要求1所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述改性材料的基体材料为所述纯金属氧化物。3.根据权利要求1所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述改性材料为使用Pt、Au、Ag、Ga、Ir、Pd中的一种或多种组合进行掺杂、修饰后得到的一种组合物。4.根据权利要求2所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述气敏膜的数量为两个，由纯金属材料制作而成的气敏膜覆盖在两个插齿电极中的任意一个上，则由改性材料制作而成的气敏膜则对应覆盖在所述两个插齿电极的另一个上。5.根据权利要求2所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述基体的材料选自N型金属氧化物半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊友辉，张顺平，刘志强，何涛，
申请(专利权)人：四方光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：