当前位置: 首页 > 专利查询>湖北大学专利>正文

基于超薄二维氧化锡的氢气传感器及制作方法技术

技术编号:33139933 阅读:29 留言:0更新日期:2022-04-22 13:49
本发明专利技术设计基于超薄二维氧化锡的氢气传感器及制作方法,是通过液态金属范德华力剥离法,在液态Sn表面剥离出SnO超薄二维材料,再退火氧化,制成稳定的SnO2,易于MEMS兼容以及集成。具体制作方法包括:在低氧环境下的手套箱中于石英管内放入Sn粉并抽真空后封装;约600℃的炉中烧结Sn粉;Sn块及Sn颗粒加热熔融,再分离出液态Sn;用载玻片挤压液态Sn,使液态Sn与Si/SiO2衬底接触,将Sn氧化薄膜转移到Si/SiO2衬底上;制成基于SnO超薄二维材料氢敏器件;再在约300℃环境下退火氧化。制成的氢气传感器能够探测浓度低至40ppm的氢气,灵敏度高,制作工艺简单,易于大规模工业化生产。易于大规模工业化生产。易于大规模工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
基于超薄二维氧化锡的氢气传感器及制作方法


[0001]本专利技术涉及基于超薄二维氧化锡的氢气传感器及制作方法,具体涉及一种氧化锡超薄二维材料的氢气传感的大面积制作方法,属于无机纳米功能材料以及氢气传感器


技术介绍

[0002]氢能被誉为理想的可再生清洁能源,是我国构建清洁能源综合供给系统的重要载体。发展氢能已成为我国能源技术与新兴产业的重要战略方向。H2的点火能量低、扩散速度快,当泄漏浓度在空气中体积百分比4

75%时迅速变为可燃,是一种危险的易燃易爆气体。开发高灵敏度、高选择性的H2泄漏监测系统对其安全性至关重要。
[0003]基于半导体金属氧化物型的氢气传感器具有造价低廉、寿命长、易于集成以及性能稳定等优点,极具市场应用价值,是氢气传感器领域的研究热点。传统半导体氢气传感器大多采用ZnO、WoO3、SnO2等氧化物陶瓷或薄膜等块体材料作为敏感层;这些种类的氢气传感器存在的不足之处表现在如下方面:由于块体材料的比表面积低、表面原子占比少,敏感层在与氢气间的相互作用时反应能力不强,有些种类的氢气传感元件需在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于氧化锡超薄二维材料的氢气传感器,其特征在于:是通过液态金属范德华力剥离法,在液态Sn表面剥离出SnO超薄二维材料,然后在管式炉氧气氛围中退火氧化,制成稳定的SnO2。2.基于氧化锡超薄二维材料的氢气传感器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(1) 在氧气浓度≤100ppm的手套箱中,称取10~20g Sn粉放置于缩颈的石英管中,然后用封口胶密封;从手套箱中取出装有Sn粉的石英管,塞入配套的石英柱,并通过真空封管设备对所述石英管进行抽真空及密封处理;设定:抽真空时的真空度≤1.0
×
10
‑4Pa,达到设定真空度后,再高温熔融石英管与石英柱,实现封管效果;(2) 将封管后的石英管放入烧结炉中,以5℃/min的速度升温到600
±
50℃,再保温8小时,之后自然冷却至室温;(3) 将按步骤(2)预烧后的石英管放入手套箱中敲碎,取出Sn块以及Sn颗粒,并将所述Sn块以及Sn颗粒放入玻璃培养皿中,再将所述培养皿放在加热台上,然后加热至280
±
5℃,使Sn熔融成一个整体,再用长玻璃滴管分离出呈球状的液态Sn,所述呈球状的液态Sn用于表面氧化物的剥离;(4...

【专利技术属性】
技术研发人员:王钊杨焱李志伟胡永明顾豪爽
申请(专利权)人:湖北大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1