【技术实现步骤摘要】
一种基于氧化锌薄膜的可见光吸收型氢气传感器件
[0001]本专利技术涉及一种基于氧化锌薄膜的可见光吸收型氢气传感器件,具体涉及一种基于氧化锌薄膜的Pd一维金属光栅结构(Au
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ZnO
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Pd)的氢气传感器及其制备方法,属于电磁波以及氢气传感器
技术介绍
[0002]氢气(H2)来源广泛,是一种可循坏再生的清洁能源,其在化学变化中燃烧产物是H2O,并能释放出大量能量,是21世纪公认的最理想的清洁可再生能源,被广泛的运用于金属冶炼、电子制造、航空航天、医疗、半导体加工、船舶和化工生产等领域。但由于氢气无色、无嗅、分子小、点火能低、可燃范围宽(4~75%)、扩散速度快,且在适当的浓度范围内遇明火会发生爆炸等特性,导致其在生产、存储、运输和使用过程中很容易对人的生命安全和财产安全造成危险。因此,开发灵敏度高、响应速度快、安全、抗干扰能力强的室温氢气传感器对于保障氢能安全具有重要意义。
[0003]现有技术中,为了使氢气传感器适应更多领域,除开大量的研究降低制作成本和使用时的功耗、 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于氧化锌薄膜的可见光吸收型氢气传感器件,所述可见光吸收氢气传感器件是基于超材料完美吸收体结构与氢敏材料的结合,再通过建立反射率或吸收率与氢气浓度的关系,实现不同浓度氢气的检测;其特征在于:所述可见光吸收型氢气传感器件的制备方法,包括如下步骤:stp1:制备衬底,将一整块硅片切割成至少三个1
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1cm的正方形硅片,并将各正方形硅片放入prahse溶液中静置3h后,再先后放置于丙酮、无水乙醇以及去离子水中超声30~40min,然后用氮气吹干各正方形硅片,并放置在温度为100℃的恒温加热台上烘5~10 min,烘干后取出各正方形硅片并静置3~5min;stp2:制备基于完美吸收体结构的金属基底层和超材料介质层,先采用直流溅射工艺在依stp1制备的衬底上溅射一层Cr作为连接金属,设定:溅射环境为真空度低于1.5
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3 Pa,且:溅射功率80w、溅射气压0.5Pa、溅射时间10s,接着采用直流溅射工艺,在真空度低于1.5
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3 Pa的环境中溅射一层Au,设定:溅射功率80w、溅射气压0.5Pa、溅射时间23s,然后采用射频溅射工艺,在真空度低于1.5
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3 Pa的环境中溅射一层ZnO,设定:溅射功率100w、溅射气压0.5Pa、溅射时间90s,得到基于完美吸收体结构的金属基底层和超材料介质层;stp3:旋涂光刻胶,采用旋涂工艺在按stp2制...
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