【技术实现步骤摘要】
图像传感器和包括该图像传感器的电子系统
[0001]本公开涉及图像传感器和包括图像传感器的电子系统，更具体地，涉及包括多个光电二极管的图像传感器和包括图像传感器的电子系统。
技术介绍
[0002]随着计算机产业和通信产业的发展，获取图像并将获取的图像转换成电信号的图像传感器已经被用于各种领域，诸如数码相机、摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏设备、安全相机和医用微型相机。随着图像传感器变得高度集成和像素尺寸小型化，在图像传感器中采用了共享像素结构。需要具有以下结构的图像传感器：可以通过简化的工艺获得，同时确保共享像素结构中所需的稳定的电特性。
技术实现思路
[0003]专利技术构思的实施方式提供了一种图像传感器，其具有可以通过简化的工艺获得的结构同时确保共享像素结构中所需的稳定的电特性。
[0004]专利技术构思的实施方式还提供了一种包括图像传感器的电子系统，该图像传感器具有可以通过简化的工艺获得的结构同时确保共享像素结构中所需的稳定的电特性。
[0005]专利技术构思的实施方式提供了一种图像...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：衬底，具有感测区域；浮置扩散区，布置在所述感测区域中；多个光电二极管，在所述感测区域中布置在所述浮置扩散区周围；以及像素间溢出阻挡件，与所述多个光电二极管中的每个接触，所述像素间溢出阻挡件在所述感测区域内的与所述浮置扩散区垂直间隔开的位置处在垂直方向上重叠所述浮置扩散区。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个光电二极管中的每个包括：第一半导体区，邻近所述衬底的前侧表面布置并掺有第一导电类型的杂质；以及第二半导体区，掺有第二导电类型的杂质并在与所述前侧表面间隔开的位置处与所述第一半导体区接触，所述第一半导体区设置在所述前侧表面和所述第二半导体区之间，其中所述像素间溢出阻挡件包括与所述多个光电二极管中的每个的所述第二半导体区接触的第三半导体区，所述第三半导体区掺有所述第二导电类型的杂质，以及所述第二半导体区具有第一掺杂浓度，所述第三半导体区具有小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的图像传感器，进一步包括：共享所述浮置扩散区的多个传输晶体管，其中所述多个传输晶体管中的每个包括布置在所述衬底上的传输栅极，以及所述像素间溢出阻挡件在所述垂直方向上与所述传输栅极间隔开，并且所述浮置扩散区在其间。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述衬底包括邻近所述浮置扩散区的前侧表面和与所述前侧表面相反的后侧表面，其中所述像素间溢出阻挡件布置在与所述前侧表面和所述后侧表面间隔开的位置处。5.根据权利要求1所述的图像传感器，进一步包括：在所述衬底中限定所述感测区域的器件隔离结构，其中所述像素间溢出阻挡件布置在与所述器件隔离结构水平间隔开的位置处，并且所述多个光电二极管布置在所述像素间溢出阻挡件和所述器件隔离结构之间。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述像素间溢出阻挡件具有与所述多个光电二极管接触的多个接触表面，并且所述多个接触表面的面积相同。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述像素间溢出阻挡件具有与所述多个光电二极管接触的多个接触表面，并且所述多个接触表面包括具有不同面积的至少两个接触表面。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述垂直方向上，所述浮置扩散区和所述像素间溢出阻挡件之间的第一分离距离小于所述多个光电二极管的最低水平和所述像素间溢出阻挡件之间的第二分离距离，所述最低水平是所述多个光电二极管的离所述浮置扩散区最远的水平。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述垂直方向上，所述浮置扩散区和所述像素间溢出阻挡件之间的第一分离距离大于所述多个光电二极管的最低水平和所述像素间溢出阻挡件之间的第二分离距离，所述最低水平是所述多个光电二极管的离所述浮置
扩散区最远的水平。10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述衬底包括邻近所述浮置扩散区的前侧表面和与所述前侧表面相反的后侧表面，所述图像传感器进一步包括在所述衬底的所述后侧表面上覆盖所述感测区域的微透镜，其中所述浮置扩散区、所述多个光电二极管和所述像素间溢出阻挡件垂...
【专利技术属性】
技术研发人员：文祥赫，李景镐，李承俊，郑闵至，藤田雅人，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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