图像传感器形成方法及图像传感器技术

本发明专利技术提供一种图像传感器形成方法及图像传感器，所述图像传感器形成方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底预定位置形成侧向PN结构；于所述侧向PN结构上表面，选择性生长P型外延层，以在所述侧向PN结构上表面形成钉扎层。本发明专利技术通过采用选择性外延工艺形成钉扎层，省去了离子注入工序，减少因离子注入工艺对光电二极管表面的破坏而产生的缺陷，节省了工艺步骤，并提高晶圆级图像传感器制备的光性能均匀性，减少噪点；通过将栅极结构部分覆盖钉扎层的设计，形成侧向寄生电场，增强开关特性。增强开关特性。增强开关特性。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器形成方法及图像传感器


[0001]本专利技术涉及图像传感器领域，尤其涉及一种图像传感器形成方法及图像传感器。

技术介绍

[0002]CMOS图像传感器具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点。因此，随着技术发展，CMOS图像传感器越来越多地取代CCD图像传感器应用于各类电子产品中。目前CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置（例如胃镜）、车用摄像装置等。CMOS图像传感器产品可分为FSI（Front Side Illumination，前照式）和BSI（Back Side Illumination，背照式）。
[0003]像素阵列作为图像传感器的核心模块，主要由光电二极管、传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管等组成。其中，光电二极管用于吸收光子并转换电子，光电二极管由N型掺杂区和半导体衬底构成；传输晶体管位于光电二极管与浮置扩散区之间实现开关功能，浮置扩散区的作用是收集光电二极管转化的电子，并根据其转化增益能力将电子信号转化为相应的电压信号。
[0004]在现有技术中，通常采用离子注入技术在N型掺杂区表面形成钉扎层，离子注入的深度会受到介质层（oxide）的厚度以及离子注入机台的影响，会导致离子注入深浅不均匀，如果离子注入过深会光敏性降低和偏色,，如果离子注入过浅则无钉扎作用。并且，离子注入技术会对光电二极管表面形成破坏而产生缺陷，这些缺陷作为衬底表面上的悬键而起作用，并产生噪声，从而影响图像传感器的性能。
专利技术内容
[0005]本专利技术的目的在于提供一种图像传感器形成方法及图像传感器，用于提高晶圆级图像传感器制备的光性能均匀性，减少噪点。
[0006]基于以上考虑，本专利技术提供一种图像传感器形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底预定位置形成侧向PN结构；于所述侧向PN结构上表面，选择性生长P型外延层，以在所述侧向PN结构上表面形成钉扎层。
[0007]可选地，还包括于所述半导体衬底表面，形成栅极结构的步骤，所述栅极结构部分覆盖于所述外延层之上，作为传输晶体管的栅极。
[0008]可选地，在形成所述外延层之前，还包括于所述PN结构上表面进行离子注入，形成具有第一掺杂类型的离子注入层的步骤。
[0009]可选地，选择性生长P型外延层的步骤具体包括：于所述半导体衬底表面形成图形化的介质层，所述图形化的介质层覆盖所述半导体衬底表面并暴露出所述侧向PN结构上表面的部分或全部；采用选择性外延工艺于暴露出的所述侧向PN结构上表面，形成P型外延层，以在所述侧
向PN结构上表面形成钉扎层；去除所述图形化的介质层。
[0010]可选地，形成所述图形化的介质层的步骤包括：于所述半导体衬底表面形成氧化硅层或氮氧化硅层或氮化硅层，以形成介质层；通过光刻与刻蚀工艺，于所述半导体衬底表面形成图形化的介质层，所述图形化的介质层覆盖所述半导体衬底表面并暴露出所述侧向PN结构上表面的部分或全部。
[0011]可选地，所述P型外延层的掺杂浓度由所述外延层的表面到所述外延层与半导体衬底形成的界面之间变化。
[0012]可选地，所述掺杂浓度由表层到所述界面逐渐降低。
[0013]可选地，所述外延层的厚度为2~100nm。
[0014]本专利技术还提供一种图像传感器，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底预定位置设置侧向PN结构；在所述半导体衬底表面且所述侧向PN结构上表面，设有高于所述半导体衬底表面的P型外延层，以在所述侧向PN结构上表面形成钉扎层。
[0015]可选地，还包括位于所述半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构部分覆盖于所述外延层之上，作为传输晶体管的栅极。
[0016]可选地，在所述PN结构上表面，还设置有采用离子注入技术对所述PN结构上表面进行掺杂的离子注入层。
[0017]可选地，所述P型外延层的掺杂浓度由所述外延层的表面到所述外延层与半导体衬底形成的界面之间变化。
[0018]可选地，所述掺杂浓度由所述外延层的表面到所述外延层与半导体衬底形成的界面逐渐降低。
[0019]可选地，所述P型外延层的厚度为2~100nm。
[0020]本专利技术的提供的图像传感器形成方法及图像传感器，具有以下有益效果：去除因介质层厚度不均导致的离子注入深度不一致性，提高晶圆级图像传感器制备的光性能均匀性，减少噪点；省去了离子注入工序，减少因离子注入工艺对光电二极管表面的破坏而产生的缺陷，节省了工艺步骤；采用选择性外延工艺形成钉扎层，形成的钉扎层性能稳定；栅极部分覆盖外延层，形成侧向寄生电场，增强开关特性。
附图说明
[0021]通过参照附图阅读以下所作的对非限制性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
[0022]图1显示为本专利技术提供的图像传感器形成方法流程图。
[0023]图2显示为本专利技术提供的半导体衬底的结构示意图。
[0024]图3显示为本专利技术提供的形成侧向PN结构的结构示意图。
[0025]图4显示为本专利技术提供的另一侧向PN结构的结构示意图。
[0026]图5显示为本专利技术提供的形成介质层的结构示意图。
[0027]图6显示为本专利技术提供的形成图形化介质层的结构示意图。
[0028]图7显示为本专利技术提供的形成外延层的结构示意图。
[0029]图8显示为本专利技术提供的去除介质层的结构示意图。
[0030]图9显示为本专利技术提供的形成栅极结构的结构示意图。
[0031]在图中，贯穿不同的示图，相同或类似的附图标记表示相同或相似的装置（模块）或步骤。
具体实施方式
[0032]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。
[0033]其次，本专利技术利用示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，所述示意图只是实例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。
[0034]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，以下结合附图对本专利技术的图像传感器形成方法及图像传感器进行详细描述。
[0035]本专利技术提供一种图像传感器形成方法，如图1所示，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底预定位置形成侧向PN结构；于所述侧向PN结构上表面，选择性生长P型外延层，以在所述侧向PN结构上表面形成钉扎层。
[0036]本专利技术还提供一种图像传感器，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底预定位置设置侧向PN结构；在所述半导体衬底表面且所述侧向PN结构上表面，设有高于所述半导体衬底表面的P型外延层，以在所述侧向PN结构上表面形成钉扎层。
[0037]以下结合附图，具体描述图像传感器形成方法及该图像传感器。
[0038]如图2所示，进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底预定位置形成侧向PN结构；于所述侧向PN结构上表面，选择性生长P型外延层，以在所述侧向PN结构上表面形成钉扎层。2.根据权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，还包括于所述半导体衬底表面，形成栅极结构的步骤，所述栅极结构部分覆盖于所述外延层之上，作为传输晶体管的栅极。3.根据权利要求1或2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，在形成所述P型外延层之前，还包括于所述PN结构上表面进行离子注入，形成离子注入层的步骤。4.根据权利要求1或2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，选择性生长P型外延层的步骤具体包括：于所述半导体衬底表面形成图形化的介质层，所述图形化的介质层覆盖所述半导体衬底表面并暴露出所述侧向PN结构上表面的部分或全部；采用选择性外延工艺于暴露出的所述侧向PN结构上表面，形成P型外延层，以在所述侧向PN结构上表面形成钉扎层；去除所述图形化的介质层。5.根据权利要求4所述的图像传感器形成方法，其特征在于，形成所述图形化的介质层的步骤包括：于所述半导体衬底表面形成氧化硅层或氮氧化硅层或氮化硅层，以形成介质层；通过光刻与刻蚀工艺，于所述半导体衬底表面形成图形化的介质层，所述图形化的介质层覆盖所述半导体衬底表面并暴露出所述侧向PN结构上表面的部分或全部。6.根据权利要求1所述的图像传感器形成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨瑞坤，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：