一种存储单元的检测方法和检测电路技术

本发明专利技术涉及一种存储单元的检测方法和检测电路。存储单元的检测方法包括如下步骤：在封装存储块之前，将存储块边缘单元的字线的一端以及位线的一端分别通过第一放大器和第二放大器，与内建自测逻辑电路的输入端连接；对与内建自测逻辑电路连接的字线和位线施加测量电压或测量电流；通过内建自测逻辑电路的输出端输出边缘单元的测量结果。将位于存储块边缘单元的字线的一端以及位线的一端分别通过第一放大器和第二放大器与内建自测逻辑电路的输入端连接，再施加测量电压或测量电流，通过内建自测逻辑电路的输出端输出测量结果，能够在不影响存储单元的情况下对存储块进行性能检测，方法便捷，不影响产品良率和产品成本。不影响产品良率和产品成本。不影响产品良率和产品成本。

【技术实现步骤摘要】
一种存储单元的检测方法和检测电路


[0001]本申请涉及存储器
，具体涉及一种存储单元的检测方法和检测电路。

技术介绍

[0002]由于DRAM的存储单元(Memory Cell)的大小缩减，作动电压变低，导致存储单元的分布对产品性能的影响很大，周围量测好的结果无法反映产品的特性。需要调整基板的基端偏置(Body Bias)，将存储单元的分布造成的影响最小化。存储单元的特性通过切割道(Scribe Lane)测量，再根据测量到的结果来调整DRAM存储块产品的特性。然而在切割道进行的测量无法完全的反应产品的特征。并且，随著半导体工艺的微细化，各种未知的原因会导致在切割道量测出的特性与周边产品特性或分布不一致。由于对产品实际特性的测量需要非常高，导致现有的测试方式会使得产品特性的调整作业所需的测试时间增加，从而增加了成本。
[0003]在产品中量测存储单元的特性很难，为了能够直接在产品内部量测DRAM存储单元的性能，需要修改或增加周边电路，但是这种修改或增加在实现上具有很大的难度无法达成。
[0004]现有的技术可以在产品内部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：在封装存储块之前，将所述存储块边缘单元的字线的一端以及位线的一端分别通过第一放大器和第二放大器，与内建自测逻辑电路的输入端连接；对与所述内建自测逻辑电路连接的字线和位线施加测量电压或测量电流；通过所述内建自测逻辑电路的输出端输出所述边缘单元的测量结果。2.根据权利要求1所述的存储单元的检测方法，其特征在于，所述边缘单元为位于所述存储块边缘的至少一行或一列存储单元。3.根据权利要求1所述的存储单元的检测方法，其特征在于，在所述通过所述内建自测逻辑电路的输出端输出所述边缘单元的测量结果之后，还包括如下步骤：将所述测量结果存储至熔丝或反熔丝。4.根据权利要求1所述的存储单元的检测方法，其特征在于，在所述通过所述内建自测逻辑电路的输出端输出所述边缘单元的测量结果之后，还包括如下步骤：根据所述存储的测量结果，对存储块的制造工艺、性能参数和测试方法进行调整。5.根据权利要求1所述的存储单元的检测方法，其特征在于，在所述通过所述内建自测逻辑电路的输出端输出所述边缘单元的测量结果之后，还包括如下步骤：根据所述存储的测量结果，管理所述存储块的制造过程。6.根据权利要求1所述的存储单元的检测方法，其特征在于，所述边缘单元的测量结果，包括：所述边缘单元的栅极介电膜的特性、所述边缘单元的通道晶体管的特性、所述存储块中存储单元的传输管的特性、所述位线的电阻值和/或所述字线的电阻值。7.根据权利要求1所述的存储单元的检测方法，其特征在于，所述边缘单元，包括：伪单元。8.根据权利要求7所述的存储单元的检测方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相惇，孙永载，赵劼，杨涛，张欣，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：