掺钕硼酸钆锶激光晶体制造技术

技术编号:3317814 阅读:147 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
掺钕硼酸钆锶激光晶体涉及人工晶体领域,特别是涉及一种激光晶体材料掺钕硼酸钆锶[Nd:Sr↓[3]Gd↓[2](BO↓[3])↓[4]]及其制备方法。采用提拉法生长掺钕硼酸钆锶单晶,其生长温度为1450℃,拉速为0.7-2mm/h,晶转15-30rmp,可生长出高质量、大尺寸的掺钕硼酸钆锶激光晶体。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电子功能材料
中的人工晶体和晶体生长领域,尤其是涉及一种固态激光器中的工作物质的激光晶体材料。
技术介绍
激光晶体是固体激光器的工作物质,它是指以晶体为基质,通过分立的发光中心吸收泵浦光能量并将其转化为激光输出的发光材料。激光晶体的各种物理和化学性质主要由基质材料决定,而其光谱特性和荧光寿命等则由激活离子的能级结构决定。自1960年,研制成功人造红宝石脉冲激光器以来,迄今为止,已发现了数百种激光晶体,但因各种原因,能真正得到实际应用的激光晶体只有十来种。目前,应用最广泛的激光晶体是掺钕离子的钇铝石榴石(YAG)晶体,其具有较好的各种物理和化学性能,且易于生长出高光学质量、大尺寸的优质晶体。但它存在着吸收谱线窄,不适宜于用LD来进行泵浦的缺点,而LD泵浦将是今后激光泵浦源的发展方向。积极寻找各种物理、化学性能和机械性能优异,且易于生长出高光学质量、大尺寸的优质激光晶体材料,而且该晶体要适合于LD泵浦,这是目前各国科学家正在进行的工作。钕离子由于具有较好的光谱性能,广泛地被用作激活离子;而硼酸盐由于具有较好的物理化学和机械性能,也成为激光基质材料的热门之选。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掺钕硼酸钆锶激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Nd:Sr↓[3]Gd↓[2](BO↓[3])↓[4],属于正交晶系,空间群为Pnma,晶胞参数为:a=8.755*,b=16.04*,c=7.401*,V=1040*↑[3],Z=4,折射率为1.77,Nd↑[3+]离子作为掺杂离子,取代晶体中Gd↑[3+]离子的晶格位置,其掺杂浓度在0.5at-15at%之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王国富张彦林州斌胡祖树张莉珍
申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所
类型:发明
国别省市:35[中国|福建]

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