一种高频高速挠性覆铜板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高频高速挠性覆铜板，含氟聚合物绝缘保护层设于聚酰亚胺绝缘层两侧，形成两侧均具有无胶系粘接功能的绝缘基材；所述铜箔层为进行粗化和脱脂工艺处理的电解铜箔；导电高分子层为掺杂质子化态导电高分子溶液在电解铜箔表面形成的薄膜层；将导电高分子层与所述绝缘基材的单侧或两侧复合连接，形成对称或非对称高频高速挠性覆铜板。通过上述方式，本实用新型专利技术具有优异的力学性能、柔韧性和电气绝缘性能，有利于广泛拓展其在柔性电子领域作为可弯曲且高绝缘领域产品的应用。子领域作为可弯曲且高绝缘领域产品的应用。子领域作为可弯曲且高绝缘领域产品的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种高频高速挠性覆铜板


[0001]本技术涉及电子材料领域，特别是涉及一种含有聚酰亚胺、含氟聚合物和导电高分子的高频高速挠性覆铜板。

技术介绍

[0002]目前挠性覆铜板结构包含铜箔（压延铜箔或者电解铜箔），绝缘基膜聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）膜或者聚酰亚胺（PI）膜和粘结剂，一般粘结剂使用环氧树脂或者丙烯酸树脂。使用环氧树脂或者丙烯酸树脂作为粘结剂会大幅度提高基膜与铜箔之间的剥离强度，增加挠性覆铜板的整体复合强度，但是会增加体系的介电常数和介电损耗正切值，在高频条件下，介电常数＞3.5。
[0003]另外，使用PET聚酯薄膜作为绝缘基膜耐热性和尺寸稳定性差，不适合高温挠性覆铜板的应用。采用PI薄膜作为挠性覆铜板的绝缘基材时，PI薄膜具有很好的电气绝缘性能、耐高温、热膨胀系数小和优异的柔韧性。但PI薄膜表面能低，缺乏自粘性，介电常数在3～3.5，并且在潮湿环境下抗水解性能差。不适合直接应用在低介电常数高频高速挠性覆铜板领域。
[0004]为获得在高频条件下低介电常数和低介电损耗正切值的绝缘基材，PTFE特种工程材料拥有较低的介电常数，其介电常数在2.5左右，但与铜箔的线性膨胀系数相差较大。为克服这一问题，采用聚四氟乙烯乳液里面填充大量陶瓷粉，再经过过滤、干燥和烧结工艺，制备成高填充量的PTFE/陶瓷复合材料，然后与电解铜箔或者电解铜箔复合制备成挠性覆铜板。此方法降低了复合材料的线性膨胀系数，可以达到17ppm/k，但是由于高填充量的陶瓷粉，使复合材料的力学性能较差，且加工过程困难。

技术实现思路

[0005]本技术主要解决的技术问题是提供一种高频高速挠性覆铜板，能够拥有优异的综合性能，在高频（10GHz）条件下，具有优异的低介电常数（＜2.5，达到2.38）、低介电损耗正切值（0.0054）；拥有高机械强度、柔韧性、耐高温、优异电气绝缘性能、优异尺寸稳定性、低吸水率、低湿膨胀性、低线性膨胀系数，阻燃性能达到UL94 V
‑
0等级；与电解铜箔或电解铜箔结合强度高，剥离强度达到1.42
‑
1.49N/mm；具有优异柔韧性、重量轻、厚度薄和尺寸精度高等优点。
[0006]为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种高频高速挠性覆铜板，包括：
[0007]聚酰亚胺/含氟聚合物薄膜层，包括聚酰亚胺绝缘层和含氟聚合物绝缘保护层，含氟聚合物绝缘保护层设于聚酰亚胺绝缘层两侧，形成两侧均具有无胶系粘接功能的绝缘基材；
[0008]导电高分子/电解铜箔层包括铜箔层和导电高分子层复合形成，所述铜箔层为进行粗化和脱脂工艺处理的电解铜箔；导电高分子层为掺杂质子化态导电高分子溶液在电解
铜箔表面形成的薄膜层；将导电高分子层与所述绝缘基材的单侧或两侧复合连接，形成对称或非对称高频高速挠性覆铜板。
[0009]在本技术一个较佳实施例中，高频高速挠性覆铜板厚度为40μm～400μm。
[0010]在本技术一个较佳实施例中，掺杂质子化态导电高分子为掺杂质子化态聚苯胺PANI、聚乙炔PA、聚吡咯PPy和聚噻吩PTh一种或多种复配。
[0011]在本技术一个较佳实施例中，含氟聚合物绝缘保护层为聚四氟乙烯PTFE层或聚四氟乙烯/四氟乙烯
‑
六氟丙烯共聚物PTFE/FEP复合材料层或聚四氟乙烯/全氟丙基全氟乙烯基醚
‑
聚四氟乙烯共聚物PTFE/PFA复合材料层或聚四氟乙烯/乙烯
‑
四氟乙烯共聚物PTFE/ETFE复合材料层或聚四氟乙烯/聚偏氟乙烯PTFE/PVDF复合材料层。
[0012]在本技术一个较佳实施例中，复合连接为超声波高频焊接连接。
[0013]本技术的有益效果是：本技术具有优异的力学性能、柔韧性和电气绝缘性能，拉伸强度≥210MPa，断裂伸长率≥30%，拉伸模量≥3300MPa；耐击穿电压强度≥185kV/mm，体积电阻率（23℃）≥1
×
10
16
Ω
·
cm；有效解决采用聚四氟乙烯乳液里面填充大量陶瓷粉的途径，制备的PTFE/陶瓷型/铜箔型挠性覆铜板力学性能差和加工困难等问题；有利于广泛拓展其在柔性电子领域作为可弯曲且高绝缘领域产品的应用；在不使用其他高介电粘结剂的情况下，达到高剥离强度性能1.42
‑
1.49N/mm，高频条件下保持低的介电常数和介电正切损耗值。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
[0015]图1是本技术高频高速挠性覆铜板一较佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0016]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0017]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0018]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0019]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必
须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0020]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0021]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之上或之下可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征之上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频高速挠性覆铜板，其特征在于，包括：聚酰亚胺/含氟聚合物薄膜层，包括聚酰亚胺绝缘层和含氟聚合物绝缘保护层，含氟聚合物绝缘保护层设于聚酰亚胺绝缘层两侧，形成两侧均具有无胶系粘接功能的绝缘基材；导电高分子/电解铜箔层包括铜箔层和导电高分子层复合形成，所述铜箔层为进行粗化和脱脂工艺处理的电解铜箔；导电高分子层为掺杂质子化态...

【专利技术属性】
技术研发人员：张云，李锦春，李炳健，丁荣华，李建革，陈宇峰，郭祥，雷伟，花金旦，
申请(专利权)人：江苏泛亚微透科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：