【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及行波半导体激光放大器领域。行波半导体激光放大器(TW-SLA)的芯片结构采用与半导体激光(LD)相同的多层异质结构，将芯片的两解理面增透，由输入和输出光纤分别从两端耦合而成。这种器件通常采用平面铜块热沉抽运其热耗散功率。为减少热阻，通常将芯片的衬底朝上面倒装在热沉上。这种结构的缺点在于光纤的外半径(～65微米)，远大于芯片有源层至热沉的距离(～数微米)致使这种结构不能直接应用于两端用光纤耦合的TW-SLA器件中。其解决办法之一是在中部或某一端部形成平凸台的热沉，凸台高度略大于光纤半径，凸台宽度与TW-SLA芯片长度严格一致，但这种方法的可行性因其加工困难成本高而受挫。本专利技术公开一种将TW-SLA芯片后端面(F2)增反，前端面(F1)增透，借助光学环行器(1)将输入信号通过光纤耦合进入TW-SLA的前端面，经TW-SLA有源层放大，经芯片后端面反射而再一次通过有源层，仍由前端面经同一光纤输出。TW-SLA芯片(3)的前端面(F1)镀增透膜其反射率R1＜10-3;后端面(F2)镀增反膜，其反射率R2＞0.99。输入信号经光纤耦合进入光学环行器(1)的(A)端口经(B)端口输出，经光纤(2)耦合进TW-SLA(3)的有源层(4)，经其放大的光信号到达后端面(F2)被反射回有源层进一步放大，然后由前端面输出耦合出来经同一光纤(2)进入光学环行器(1)的(B)口。由(B)口进入的光信号只能由(C)端口输出，从而同时实现了光信号的放大与隔离。本专利技术的优点在于(一)平面热沉块采用一般的加工方法即可，成本较低;(二)输入、输出合二为一，减少了一...
【技术保护点】
一种行波半导体激光放大器的放大方法，该方法将ＴＷ－ＳＬＡ芯片（３）的前端面（Ｆ↓［１］）增透，后端面（Ｆ↓［２］）增反，借助光学环行器（１）将输入信号通过光纤耦合进入ＴＷ－ＳＬＡ芯片前端面（Ｆ↓［１］），经ＴＷ－ＳＬＡ芯片的有源层放大，经芯片后端面反射而再一次通过有源层仍由前端面经同一光纤输出，从而实现输入输出用同一光纤共端耦合的方法；光学环行器（１）的Ａ端口进入的光信号只能向Ｂ端口传送，由Ｂ端口进入的光信号只能向Ｃ端口传送而不能返回Ａ端口，光学环行器应对于偏振光和非偏振光均具有环行作用。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。