一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法技术

本发明专利技术属于PCB技术领域，具体涉及一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，包括以下步骤：S1.分别在PCB板的四角制备环形靶组，所述环形靶组包括对称排布的至少3个环形靶；设首件确认孔的孔径为Dmm，则第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil，以此类推；S2.电镀；S3.钻孔；在环形靶内设置钻孔坐标；先钻首件确认孔，再判断首件确认孔与第几环形靶发生相交或相切，计算得到钻孔孔偏参数。S4.外层线路；S5.蚀刻首件确认孔，用二次元测量孔到光学点的距离。通过本发明专利技术的方法，可以控制孔到光学点在

【技术实现步骤摘要】
一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法


[0001]本专利技术属于PCB
，具体涉及一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法。

技术介绍

[0002]MiniLED技术又称次毫米发光二极管，是指将传统LCD显示屏侧边背光源几十颗的LED灯珠，更改为数千颗、数万颗甚至更多的直下式背光源灯珠，通过大数量灯珠的密集分布，实现了小范围内的区域调光，从而能够在更小的混光距离内实现更高的亮度均匀性和色彩对比度，可对现有LCD显示器件的背光性能起到了极大的提升作用。因此，尺寸更小的MiniLED作为新一代高端显示和背光技术，不光继承了传统小间距无缝拼接、宽色域、低功耗和长寿命的特点，还拥有高防护性、可视角度大、高PPI、高亮度和对比度等优势。
[0003]为适应MiniLED的市场发展，应用于MiniLED背光产品的印制电路板也需相对应发展，目前应用于MiniLED产品的印制电路板中，需要管控NPTH孔（非沉铜孔）到光学点距离，公差
±
3mil，现有技术的方法是：1、电镀后钻NPTH孔，钻孔是用压合靶孔打Pin定位，钻孔系数与镭射系数相同；2、做外层线路，外层线路抓压合靶孔定位，外层系数与镭射系数相同、3、蚀刻后用二次元测量孔到光学点距离。
[0004]但是，现有技术的加工方法中，仍存在以下问题：1、钻孔NPTH孔出现偏孔，非涨缩问题，而是整体往一方向偏移的问题，钻孔时无法得知偏移多少而进行控制调整；2、出现孔偏后，孔到光学点距离超出
±
3mil的公差范围，现有技术的孔到光学点只能达到
±
5.5mil内。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法。
[0006]本专利技术的技术方案为：一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.分别在PCB板的四角制备环形靶组，所述环形靶组包括对称排布的至少3个环形靶；设首件确认孔的孔径为Dmm，则第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil，以此类推；S2.电镀；S3.钻孔；在环形靶内设置钻孔坐标；先钻首件确认孔，再判断首件确认孔与第几环形靶发生相交或相切，计算得到钻孔孔偏参数。
[0007]S4.外层线路；S5.蚀刻首件确认孔，用二次元测量孔到光学点的距离。
[0008]进一步的，步骤S1中，所述PCB板上设置的环形靶组左右镜像对称设置。
[0009]进一步的，步骤S1中，通过镭射的方式烧出环形靶组。
[0010]进一步的，步骤S1中，所述环形靶组由对称排布的5个环形靶组成。
[0011]进一步的，步骤S1中，所述第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil, 第四环形靶的直径大小为D+4Dmil，第五环形靶的直径大小为D+5Dmil。
[0012]进一步的，步骤S1中，设钻孔的孔径为1mm，则所述第一环形靶的直径大小为D+1mil，第二环形靶的直径大小为D+2mil，第三环形靶的直径大小为D+3mil, 第四环形靶的直径大小为D+4mil，第五环形靶的直径大小为D+5mil。
[0013]进一步的，步骤S3中，若首件确认孔分别与第一环形靶、第二环形靶相交，则孔偏＞2mil且＜3mil，以此类推。
[0014]进一步的，步骤S3中，当孔偏超出3mil，则确认是整体性孔偏还是涨缩性孔偏，若是整体性孔偏，则调整坐标原点，若是涨缩性孔偏，则调整钻孔系数。
[0015]进一步的，步骤S3中，钻孔系数与镭射系数相同。
[0016]进一步的，步骤S4中，包括外层线路与环形靶组进行对位，外层系数与镭射系数相同。
[0017]通过本专利技术的方法，可以控制孔到光学点在
±
3mil以内，满足MiniLED板钻孔加工的要求。
[0018]本专利技术的有益效果在于：通过本专利技术方法，钻孔做首件后，即可得知是否有孔偏及孔偏的具体参数，若是出现整体性孔偏，可调整坐标原点，若是涨缩性孔偏，则可调整涨缩系数，从而达到控制孔偏的目的。
附图说明
[0019]图1为本专利技术在PCB板的四角制备环形靶组后的结构示意图;图2为本专利技术一实施例制备的环形靶组的结构示意图。
具体实施方式
[0020]为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本专利技术进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本专利技术，并不限定本专利技术的保护范围。
[0021]实施例1一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.分别在PCB板的四角制备环形靶组10，所述环形靶组包括对称排布的至少3个环形靶；设首件确认孔的孔径为Dmm，则第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil，以此类推；S2.电镀；S3.钻孔；在环形靶内设置钻孔坐标；先钻首件确认孔，再判断首件确认孔与第几环形靶发生相交或相切，计算得到钻孔孔偏参数。
[0022]S4.外层线路；S5.蚀刻首件确认孔，用二次元测量孔到光学点的距离。
[0023]进一步的，步骤S1中，所述PCB板上设置的环形靶组左右镜像对称设置。
[0024]进一步的，步骤S1中，通过镭射的方式烧出环形靶组。
[0025]进一步的，步骤S1中，所述环形靶组由对称排布的5个环形靶组成。
[0026]进一步的，步骤S1中，所述第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil, 第四环形靶的直径大小为D+4Dmil，第五环形靶的直径大小为D+5Dmil。
[0027]进一步的，步骤S1中，设钻孔的孔径为1mm，则所述第一环形靶的直径大小为D+1mil，第二环形靶的直径大小为D+2mil，第三环形靶的直径大小为D+3mil, 第四环形靶的直径大小为D+4mil，第五环形靶的直径大小为D+5mil。
[0028]进一步的，步骤S3中，若首件确认孔分别与第一环形靶、第二环形靶相交，则孔偏＞2mil且＜3mil，以此类推。
[0029]进一步的，步骤S3中，当孔偏超出3mil，则确认是整体性孔偏还是涨缩性孔偏，若是整体性孔偏，则调整坐标原点，若是涨缩性孔偏，则调整钻孔系数。
[0030]进一步的，步骤S3中，钻孔系数与镭射系数相同。
[0031]进一步的，步骤S4中，包括外层线路与环形靶组进行对位，外层系数与镭射系数相同。
[0032]实施例2本实施例提供一种与实施例1相同的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，所不同的是，步骤S1中，所述第一环形靶1的直径大小为D+Dmil，第二环形靶2的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶3的直径大小为D+3Dmil, 第四环形靶4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于， 包括以下步骤：S1.分别在PCB板的四角制备环形靶组，所述环形靶组包括对称排布的至少3个环形靶；设首件确认孔的孔径为Dmm，则第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶的直径大小为D+3Dmil，以此类推；S2.电镀；S3.钻孔；在环形靶内设置钻孔坐标；先钻首件确认孔，再判断首件确认孔与第几环形靶发生相交或相切，计算得到钻孔孔偏参数；S4.外层线路；S5.蚀刻首件确认孔，用二次元测量孔到光学点的距离。2.根据权利要求1所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S1中，所述PCB板上设置的环形靶组左右镜像对称设置。3.根据权利要求1所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S1中，通过镭射的方式烧出环形靶组。4.根据权利要求1所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S1中，所述环形靶组由对称排布的5个环形靶组成。5.根据权利要求4所述的控制MiniLED板钻孔孔偏的方法，其特征在于，步骤S1中，所述第一环形靶的直径大小为D+Dmil，第二环形靶的直径大小为D+2Dmil，第三环形靶...

【专利技术属性】
技术研发人员：程胜伟，党晓坤，向华，刘新发，
申请(专利权)人：惠州中京电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：