阵列基板以及显示面板制造技术

本申请公开了阵列基板以及显示面板，阵列基板，包括衬底基板，设于衬底基板上的多个子像素，子像素包括主区和次区；主区薄膜晶体管的至少部分设于主区内主区龙骨电极交叉位置处；和/或，次区薄膜晶体管的至少部分设于次区内次区龙骨电极交叉位置处。本申请能够充分利用子像素中原有的不透光区域容纳部分主区薄膜晶体管与次区薄膜晶体管，从而在子像素中减少形成不透光区域，继而提高面板的开口率。继而提高面板的开口率。继而提高面板的开口率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板以及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，尤其是涉及阵列基板以及显示面板。

技术介绍

[0002]随着光电显示技术和半导体制造技术的发展，液晶显示面板凭借其轻薄、节能、显示品质高以及制作工艺成熟稳定等优势，已经成为显示面板的主流。其中，垂直配向模式(VA)液晶显示设备由于在量产型和显示特性等方面的优越性，成为市场上主流的液晶显示设备之一。
[0003]传统的垂直配向模式液晶显示面板由于液晶分子双折射率差异较大，进而导致大视角色偏严重。现有技术中，通过将传统的4畴(Domain)子像素分为main/sub(主/次)区，以形成8Domain子像素，使得同一个子像素主区的4个畴与次区的4个畴的液晶分子转动角度不同，可以有效改善色偏。
[0004]现有VA面板中的8Domain子像素是在Main pixel(主像素电极)与Sub pixel(次像素电极)之间设置栅极线(gate线)、薄膜晶体管等，也即Main pixel和Sub pixel之间形成非透光区。然而，这种设置方式会导致主像素电极与次像素电极之间的非透光区域占用较大，而非透光区域面积较大则导致像素开口率低，进而导致面板的开口率降低，降低面板显示效果。

技术实现思路

[0005]本申请主要解决的技术问题是提供阵列基板以及显示面板，旨在解决现有技术中主像素电极和次像素电极之间的非透光区域占用较大导致面板开口率较低的问题。通过将主区薄膜晶体管的至少部分设置在主区龙骨电极交叉位置处，以及将次区薄膜晶体管的至少部分设置在次区龙骨电极交叉位置处，能够解决8畴像素设计的面板中因非透光区域较大而导致的面板开口率较低的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本申请采用的第一技术方案是提供一种阵列基板，包括衬底基板，设于衬底基板上的多个子像素，子像素包括主区和次区；主区薄膜晶体管的至少部分设于主区内主区龙骨电极交叉位置处；和/或，次区薄膜晶体管的至少部分设于次区内次区龙骨电极交叉位置处。
[0007]因此，主区龙骨电极交叉位置处与次区龙骨电极交叉位置处的开口率本身就较低，将主区薄膜晶体管的部分设于主区龙骨电极交叉位置处，和/或将次区薄膜晶体管的至少部分设于次区龙骨电极交叉位置处，能够充分利用子像素中原有的不透光区域容纳部分主区薄膜晶体管与次区薄膜晶体管，从而在子像素中减少形成不透光区域，继而提高面板的开口率。
[0008]其中，子像素包括第一像素电极，位于主区内，主区龙骨电极包括第一主区主干电极以及第二主区主干电极；其中，第一主区主干电极与第二主区主干电极相交以将主区分成四个畴；子像素包括第二像素电极，位于次区内，次区龙骨电极包括第一次区主干电极以
及第二次区主干电极；其中，第一次区主干电极与第二次区主干电极相交以将次区分成四个畴。
[0009]因此，通过第一主区主干电极以及第二主区主干电极将第一像素电极分成四个畴，以及通过第一次区主干电极以及第二次区主干电极将第二像素电极分成四个畴，能够形成8畴显示。
[0010]其中，主区薄膜晶体管连接一条对应的第一子扫描线、一条对应的数据线和第一像素电极；次区薄膜晶体管连接一条对应的第二子扫描线、对应的数据线和第二像素电极；阵列基板进一步包括：共享晶体管，连接第二子扫描线、次区薄膜晶体管和一条对应的共享信号线。
[0011]因此，通过主区薄膜晶体管以及次区薄膜晶体管分别对第一像素电极以及第二像素电极进行供电，以及将共享晶体管与次区薄膜晶体管进行连接，能够对次区薄膜晶体管进行放电，从而对第二像素电极进行漏电，以使得第二像素电极可以具有与第一像素电极不同的电压，继而使得第一像素电极对应的液晶分子的偏转角度与第二像素电极对应的液晶分子的偏转角度不同，从而扩大视角范围。
[0012]其中，主区薄膜晶体管的漏极通过第一过孔连接至第一像素电极，其中，第一过孔设置在第一主区主干电极与第二主区主干电极的交叉位置处。
[0013]因此，通过将实现主区薄膜晶体管与其余膜层之间电连接的第一过孔设置在主区的龙骨电极交错处，能够利用主区中原有的不透光区域容纳第一过孔，从而进一步降低子像素中不透光区域的比例，继而进一步提高面板的开口率。
[0014]其中，次区薄膜晶体管的漏极通过第二过孔连接至第二像素电极，其中，第二过孔设置在第一次区主干电极与第二次区主干电极的交叉位置处。
[0015]因此，通过将实现次区薄膜晶体管与其余膜层之间电连接的第二过孔设置在第二像素电极的龙骨电极交错处，能够利用次区中原有的不透光区域容纳第二过孔，从而进一步降低子像素中不透光区域的比例，继而进一步提高面板的开口率。
[0016]其中，数据线、主区薄膜晶体管的源极和漏极、次区薄膜晶体管的源极和漏极、共享晶体管的源极和漏极和共享信号线位于同一层中。
[0017]因此，数据线、主区薄膜晶体管、次区薄膜晶体管共享晶体管以及共享信号线可以均位于薄膜晶体管阵列层。
[0018]其中，数据线包括第一延长数据子线，其中，第一延长数据子线从数据线延伸出来以与主区薄膜晶体管的源极连接，第一延长数据子线与第一主区主干电极的投影至少部分重叠；和/或，数据线包括第二延长数据子线，其中，第二延长数据子线从数据线延伸出来以与次区薄膜晶体管的源极连接，第二延长数据子线与第一次区主干电极的投影至少部分重叠。
[0019]因此，通过将第一延长数据子线与第二延长数据子线分别设置在第一主区主干电极的投影与第一次区主干电极的投影处，能够进一步利用子像素中龙骨电极的遮蔽区域，从而进一步提高面板的开口率。
[0020]其中，共享信号线连接共享晶体管的漏极，且共享信号线与第二主区主干电极和第二次区主干电极的投影至少部分重叠。
[0021]因此，通过将部分共享信号线设置在第二像素电极的龙骨电极交错处，能够进一
步利用子像素中龙骨电极的遮蔽区域，从而进一步提高面板的开口率。
[0022]其中，第一子扫描线和第二子扫描线在显示面板的显示区域之外合并成同一条扫描线，以接收相同的扫描信号。
[0023]因此，通过将第一子扫描线与第二子扫描线进行合并，能够避免增加扫描线的数量。
[0024]为解决上述技术问题，本申请采用的第二技术方案是提供一种显示面板，包括：相对设置的彩膜基板与阵列基板以及设置于彩膜基板与阵列基板之间的液晶层；其中，阵列基板为如上述任意一项所述的阵列基板。
[0025]因此，阵列基板具有多个开口率较高的子像素，能够提升显示面板的整体开口率，从而提升产品质量。
[0026]本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请提供阵列基板以及显示面板，通过将主区薄膜晶体管的至少部分设置在主区龙骨电极交叉位置处，以及将次区薄膜晶体管的至少部分设置在次区龙骨电极交叉位置处，能够充分利用子像素中原有的不透光区域容纳部分主区薄膜晶体管与次区薄膜晶体管，从而在子像素中减少形成不透光区域，继而提高面板的开口率。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板，设于衬底基板上的多个子像素，所述子像素包括主区和次区；其特征在于，主区薄膜晶体管的至少部分设于所述主区内主区龙骨电极交叉位置处；和/或，次区薄膜晶体管的至少部分设于所述次区内次区龙骨电极交叉位置处。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素包括第一像素电极，位于所述主区内，所述主区龙骨电极包括第一主区主干电极以及第二主区主干电极；其中，所述第一主区主干电极与所述第二主区主干电极相交以将所述主区分成四个畴；所述子像素包括第二像素电极，位于所述次区内，所述次区龙骨电极包括第一次区主干电极以及第二次区主干电极；其中，所述第一次区主干电极与所述第二次区主干电极相交以将所述次区分成四个畴。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述主区薄膜晶体管连接一条对应的第一子扫描线、一条对应的数据线和所述第一像素电极；所述次区薄膜晶体管连接一条对应的第二子扫描线、所述对应的数据线和所述第二像素电极；所述阵列基板进一步包括：共享晶体管，连接所述第二子扫描线、所述次区薄膜晶体管和一条对应的共享信号线。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述主区薄膜晶体管的漏极通过第一过孔连接至所述第一像素电极，其中，所述第一过孔设置在所述第一主区主干电极与所述第二主区主干电极的交叉位置处。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述次区薄膜晶体管的漏极通过第二过孔连...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁玉姣，李荣荣，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：