一种光学相位控制显示器件制造技术

本发明专利技术提供了一种光学相位控制显示器件，包括上基板、下基板和液晶层，下基板包括下钝化层和多个第一像素电极及第二像素电极，且第一像素电极与第二像素电极相互交错设置；上基板包括上玻璃基板和补偿结构，补偿结构包括上钝化层和多个第一补偿电极及第二补偿电极，且第一补偿电极和第二补偿电极相互交错设置；第一补偿电极与第一像素电极对应设置，第二补偿电极与第二像素电极对应设置；第一补偿电极与第一像素电极的间距与第二补偿电极与第二像素电极间距相一致。通过本申请，解决现有技术中因相邻两像素电极因钝化层产生的相位差引起对芯片驱动电压有较高要求的需求，而引起的像素电极的相位控制范围减少以及功耗增大的技术问题。技术问题。技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种光学相位控制显示器件


[0001]本专利技术属于光学相位控制的
，具体地涉及一种光学相位控制显示器件。

技术介绍

[0002]光学相位控制显示元件通过提高像素开口率、液晶透过效率、偏光板透过率、彩色滤光片透过率可以有效地提高像素透过率；其中，像素开口率系指透光比率，即每个像素可透光的有效区域除以像素的总面积，像素开口率指数越高，则光学相位控制效果越好。
[0003]如图1所示为现有技术的光学相位控制显示器件，为了提高像素开口率，通常将相邻的第一像素电极141及第二像素电极142设置在不同层；当外界光经过液晶层20入射至光学相位控制显示器件内，经第一像素电极141及第二像素电极142反射后再经液晶层20射出光学相位控制显示器件，此时，相比第二像素电极142，外界光在第一像素电极141处多经过一层钝化层14，在第一像素电极141及第二像素电极142的液晶偏转角度一致时，第一像素电极141较第二像素电极142多产生了光入射及反射时经钝化层14产生的相位差现象。为了改善相位差现象，以使第一像素电极141及第二像素电极142的相位控制能力相一致，通常采用如图2所示的像素驱动方式进行；从图2中可知，第一像素电极141的像素电压应高于第二像素电极142的像素电压，即第一像素电极141的像素电压的驱动电压范围应大于第二像素142的像素电压的驱动电压范围；因此，第一像素电极141的像素电压对芯片驱动电压范围有较高要求。然而，一般芯片难以满足像素电压对芯片驱动电压有较高要求的需求，导致像素电极的相位控制范围减少而影响整个光学相位控制显示器件的相位控制能力；另外，像素电压对芯片驱动电压有较高要求的需求也会引起整个光学相位控制显示器件功耗的增大。
[0004]因此，如何解决现有技术中因相邻两像素电极因钝化层产生的相位差引起对芯片驱动电压有较高要求的需求，而引起的像素电极的相位控制范围减少以及功耗增大的技术问题，尚未提出有效解决方案。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种光学相位控制显示器件，采用在上基板上设置补偿结构，通过补偿结构之间的电压差规避现有技术中因相邻两像素电极因钝化层产生的相位差，从而降低像素电极对芯片驱动电压的驱动范围。
[0006]该专利技术提供以下技术方案，一种光学相位控制显示器件，包括上基板、下基板和设于所述上基板与所述下基板之间的液晶层，所述下基板包括下钝化层和分别嵌设于所述下钝化层两表面的多个第一像素电极及第二像素电极，且所述第一像素电极与所述第二像素电极相互交错设置；所述上基板包括上玻璃基板和自所述上玻璃基板朝向所述液晶层一侧设置的补偿结构；
[0007]其中，所述补偿结构包括上钝化层和分别嵌设于所述上钝化层两表面的多个第一补偿电极及第二补偿电极，且所述第一补偿电极和所述第二补偿电极相互交错设置；其中，
所述第一补偿电极与所述第一像素电极对应设置，且所述第一补偿电极在所述下钝化层的投影大小与所述第一像素电极相等或者两者误差小于预设值；所述第二补偿电极与所述第二像素电极对应设置，且所述第二补偿电极在所述下钝化层的投影大小与所述第二像素电极相等或者两者误差小于预设值；所述第一补偿电极与所述第一像素电极的间距与所述第二补偿电极与所述第二像素电极间距相一致。
[0008]相比于现有技术，本专利技术的有益效果为：采用在上基板上设置包括上钝化层和相互交错设置在上钝化层上的多个第一补偿电极及第二补偿电极的补偿结构，第一补偿电极与第一像素电极对应设置且面积大小一致或相差微小，以及第二补偿电极与第二像素电极对应设置且面积大小一致或相差微小，并且第一补偿电极与第一像素电极的间距和第二补偿电极与第二像素电极间距相一致，通过对第一补偿电极及第二补偿电极分别控制写入电压信号，利用两者的电压差，来补偿第一像素电极相比第二像素电极因下钝化层产生的相位差，以降低像素电极对芯片驱动电压的驱动范围幅度值，且降低芯片驱动难度与信号写入复杂程度，达到提高相位控制器的相位控制范围与能力，及降低相位控制器的驱动功耗。
[0009]较佳地，所述第一补偿电极呈矩形阵列分布，所述第二补偿电极正对两个相邻的所述第一补偿电极之间的空隙设置。
[0010]较佳地，所述下基板还包括下玻璃基板和自所述下玻璃基板朝向所述液晶层一侧依次设置的薄膜晶体管结构和有机平坦层；其中，所述薄膜晶体管结构包括自所述下玻璃基板朝向所述液晶层一侧依次设置的多晶硅层、栅极绝缘层、第一金属层、介质层、第二金属层；所述有机平坦层背离所述液晶层的一侧覆盖所述第二金属层。
[0011]较佳地，所述多晶硅层包括与所述第一像素电极对应设置的第一薄膜晶体管的半导体层和与所述第二像素电极对应设置的第二薄膜晶体管的半导体层；其中，所述第一薄膜晶体管用于控制所述第一像素电极上的电压，所述第二薄膜晶体管用于控制所述第二像素电极上的电压。
[0012]较佳地，所述第一金属层包括与所述第一像素电极对应设置的的第一栅极、第一公共电极，以及与所述第二像素电极对应设置的的第二栅极、第二公共电极。
[0013]较佳地，所述第二金属层包括与所述第一像素电极对应设置的第一源极、第一漏极，以及与所述第二像素电极对应设置的的第二源极、第二漏极；其中，所述第一栅极设置于所述第一源极及所述第一漏极之间，所述第二栅极设置于所述第二源极及所述第二漏极之间；所述第一漏极与所述第一公共电极的交叠区域形成第一存储电容，所述第二漏极与所述第二公共电极的交叠区域形成第二存储电容。
[0014]较佳地，所述第一像素电极通过引脚穿过所述有机平坦层与所述第一漏极电性连接，且所述第二像素电极通过引脚穿过所述有机平坦层与所述第二漏极电性连接；所述第一源极及所述第一漏极通过引脚穿过所述介质层、所述第一金属层、所述栅极绝缘层与所述第一薄膜晶体管的半导体层电性连接，且所述第二源极及所述第二漏极通过引脚穿过所述介质层、所述第一金属层、所述栅极绝缘层与所述第二薄膜晶体管的半导体层电性连接。
[0015]较佳地，所述上钝化层、所述下钝化层、所述栅极绝缘层和所述介质层材料为二氧化硅或氮化硅。
[0016]较佳地，所述液晶层朝向所述上基板及所述下基板的表面分别设有液晶配向层。
[0017]较佳地，所述第一像素电极的电压高于所述第二像素电极的电压。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为现有技术的光学相位控制显示器件的结构图；
[0020]图2为现有技术的光学相位控制显示器件的像素驱动原理图；
[0021]图3为本专利技术实施例提供的光学相位控制显示器件的结构图；
[0022]图4为本专利技术实施例提供的第一像素电极与第二像素电极的形状及排列示意图；
[002本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学相位控制显示器件，包括上基板、下基板和设于所述上基板与所述下基板之间的液晶层，所述下基板包括下钝化层和分别嵌设于所述下钝化层两表面的多个第一像素电极及第二像素电极，且所述第一像素电极与所述第二像素电极相互交错设置；其特征在于，所述上基板包括上玻璃基板和自所述上玻璃基板朝向所述液晶层一侧设置的补偿结构；其中，所述补偿结构包括上钝化层和分别嵌设于所述上钝化层两表面的多个第一补偿电极及第二补偿电极，且所述第一补偿电极和所述第二补偿电极相互交错设置；其中，所述第一补偿电极与所述第一像素电极对应设置，且所述第一补偿电极在所述下钝化层的投影大小与所述第一像素电极相等或者两者误差小于预设值；所述第二补偿电极与所述第二像素电极对应设置，且所述第二补偿电极在所述下钝化层的投影大小与所述第二像素电极相等或者两者误差小于预设值；所述第一补偿电极与所述第一像素电极的间距与所述第二补偿电极与所述第二像素电极间距相一致。2.根据权利要求1所述的光学相位控制显示器件，其特征在于，所述第一补偿电极呈矩形阵列分布，所述第二补偿电极正对两个相邻的所述第一补偿电极之间的空隙设置。3.根据权利要求1所述的光学相位控制显示器件，其特征在于，所述下基板还包括下玻璃基板和自所述下玻璃基板朝向所述液晶层一侧依次设置的薄膜晶体管结构和有机平坦层；其中，所述薄膜晶体管结构包括自所述下玻璃基板朝向所述液晶层一侧依次设置的多晶硅层、栅极绝缘层、第一金属层、介质层、第二金属层；所述有机平坦层背离所述液晶层的一侧覆盖所述第二金属层。4.根据权利要求3所述的光学相位控制显示器件，其特征在于，所述多晶硅层包括与所述第一像素电极对应设置的第一薄膜晶体管的半导体层和与所述第二像素电极对应设置的第二薄膜晶体管的半导体层；其中，所述第一薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：荣誉东，霍英东，
申请(专利权)人：南昌虚拟现实研究院股份有限公司，
类型：发明
国别省市：