氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法技术

一种氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法。首先，提供一基板，然后，形成一氮化镓系半导体叠层于基板上，此氮化镓系半导体叠层由下至上依序堆叠有一Ｎ型氮化镓系接触层、一发光堆叠层及一Ｐ型氮化镓系接触层。接着，形成一数字穿透层于Ｐ型氮化镓系接触层上，再以干蚀刻法向下依序蚀刻数字穿透层、Ｐ型氮化镓系接触层、发光堆叠层、Ｎ型氮化镓系接触层并终止于Ｎ型氮化镓系接触层内，以形成一Ｎ－金属（Ｎ－Ｍｅｔａｌ）形成区。接下来，分别形成一第一欧姆接触电极于Ｐ型氮化镓系接触层上以作为Ｐ型欧姆接触用，一第二欧姆接触电极于Ｎ－金属形成区之上以作为Ｎ型欧姆接触用。最后，同时在第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极上分别各形成一焊接垫。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管的结构及其制造方法，特别是一种氮化镓系发光二极管或其它宽能隙材料的发光二极管欧姆接触的结构及其制造方法。
技术介绍
如图1所示，传统氮化镓(GaN)系发光二极管的结构，大致上包含有(1)基板1；(2)形成在基板之上的缓冲层2(buffer layer)；(3)形成在缓冲层2之上的N型氮化镓系层3；(4)形成在N型氮化镓系层3之上的发光堆叠层4；及(5)形成在发光堆叠层4之上的P型氮化镓系层5；其形成的方法如下<1>如图2A所示，利用感应耦合电浆离子蚀刻(Inductively CoupledPlasma-Reactive Ion Etching，ICP-RIE)干式蚀刻技术，向下蚀刻通过P型氮化镓系层5，发光堆叠层4，然后到达N型氮化镓系层3，形成深约10000埃(A)的N-金属(N-Metal)形成区6；<2>如图2B所示，在P型氮化镓系层5之上，形成可以当作P型欧姆接触用，且又具有透明特性的透明导电层7(Trausparent Conductive Layer，TCL)；<3&a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓系发光二极管的结构，其特征是包括　　　　一基板；　　　　一氮化镓系半导体叠层，形成于该基板上，该氮化镓系半导体叠层具有一第一上表面与一第二上表面，其中，该第一上表面与该不导电基板间的距离大于该第二上表面与该基板间的距离；　　　　一数字穿透层，其对于波长介于３８０毫微米（ｎｍ）到５６０毫微米间的光线具有大于８０％的穿透率，且于其内可利用载子穿透效应以进行载子穿透；　　　　一第一欧姆接触电极，形成于该第一上表面上用以作为Ｐ型欧姆接触用；及　　　　一第二欧姆接触电极，形成于该第二上表面上用以作为Ｎ型欧姆接触用。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝文厚，陈隆建，简奉任，
申请(专利权)人：璨圆光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]