【技术实现步骤摘要】
一种ICP刻蚀上片装置
[0001]本技术涉及半导体
,尤其是指一种ICP刻蚀上片装置。
技术介绍
[0002]ICP刻蚀是一种在半导体领域被广泛使用的技术,可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。在LED领域,通常采用7片或9片装的刻蚀盘进行ICP刻蚀,ICP刻蚀前需要将片源装入刻蚀盘后入腔进行。目前,常规的上片方式是将刻蚀盘放置于固定平面上,后将片源逐片放在静置的刻蚀盘上。该上片方式需要操作员每次都对吸笔进行位置调整,以便于吸笔将每个片源准确转移至刻蚀盘上,导致人工成本增加,并且调整时间较长,导致上片效率低下,且在调整过程中,容易由于人工操作不当导致片源被划伤,降低产品良率。
技术实现思路
[0003]本技术所要解决的技术问题是:提供一种ICP刻蚀上片装置,提高上片效率。
[0004]为了解决上述技术问题,本技术采用的技术方案为:
[0005]一种ICP刻蚀上片装置,包括支座、转动支撑件和放置于所述转动支撑件上的刻蚀盘;
[0006]所述转动支撑件可相对于所述支座转动地设置于所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种ICP刻蚀上片装置,其特征在于,包括支座、转动支撑件和放置于所述转动支撑件上的刻蚀盘;所述转动支撑件可相对于所述支座转动地设置于所述支座上,且所述转动支撑件与所述支座同轴设置;所述转动支撑件与所述刻蚀盘可拆卸连接,用于使所述刻蚀盘与所述转动支撑件同轴转动。2.根据权利要求1所述的ICP刻蚀上片装置,其特征在于,所述转动支撑件上设置有至少两个环绕所述转动支撑件的轴心设置的限位件,所述刻蚀盘朝向所述转动支撑件的一侧开设有与所述限位件相匹配的限位槽。3.根据权利要求2所述的ICP刻蚀上片装置,其特征在于,所述限位件设置有四个,且四个所述限位件绕所述转...
【专利技术属性】
技术研发人员:林智盛,洪加添,
申请(专利权)人:福建兆元光电有限公司,
类型:新型
国别省市:
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