一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、抑制剂、非离子型表面活性剂和超纯水。本发明专利技术的蚀刻液中通过加入抑制剂，提高蚀刻液的粘度，增加传质阻力，降低二氧化硅的蚀刻速率；非离子型表面活性剂则用于降低蚀刻液表面张力，提高浸润性，减小凹型沟槽结构上、中、下层二氧化硅蚀刻速率的差异。本发明专利技术所述的蚀刻液能够使凹型沟槽结构的上、中、下层蚀刻速率差异降低，保持上、中、下层的二氧化硅蚀刻速率基本一致。刻速率基本一致。

【技术实现步骤摘要】
一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液


[0001]本专利技术涉及半导体制造工业中一种二氧化硅的蚀刻液，更具体的说涉及一种凹型沟槽结构二氧化硅的蚀刻液。

技术介绍

[0002]在半导体制造工业中，SiO2的主要作用一是作为掺杂阻挡层，SiO2能够形成阻挡保护层，防止掺杂物(例如硼、磷、砷等)向半导体中扩散；二是作为隔离层，在集成电路中，器件与器件之间的隔离可以有PN结隔离和SiO2介质隔离，SiO2介质隔离比PN结隔离的效果好，它采用一个厚的场氧化层来完成；三是作为缓冲层，但Si3N4直接沉积在Si衬底上时，界面存在较大的应力与极高的界面态密度，因此多采用Si3N4/SiO2/Si结构，可以清除Si3N4和衬底Si之间的应力；四是作为绝缘层，在芯片集成度越来越高的情况下就需要多层金属布线，它们之间需要用绝缘性能良好的介电材料加以隔离，SiO2就能充当这种隔离材料；五是作为保护器件和电路的钝化层，在集成电路芯片制作完成后，为了防止机械性的损伤，或接触含有水汽的环境太久而造成器件失效，通常在IC制造工艺结束后在表面沉积一层钝化层，掺磷的Si本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液成分包括占蚀刻液总重量1
‑
8%的氢氟酸、16
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20%的氟化铵、0.1
‑
5%的抑制剂、0.001
‑
0.1%的非离子型表面活性剂，剩余为超纯水。2.根据权利要求1所述的一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液成分中的抑制剂为选自醇类、醇胺类、纤维素类、聚氨酯类中的至少一种。3.根据权利要求2所述的一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液，其特征在于，所述醇类选自乙二醇、丙三醇、环己醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇200、聚乙二醇300、聚乙二醇400、聚乙二醇600中的至少一种。4.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张庭，贺兆波，李金航，李鑫，尹印，万杨阳，武昊冉，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：