一种氮化硅与P型多晶硅等速蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，其主要成分包括磷酸、单硝基化合物、硝基稳定剂、表面活性剂和水组成，本发明专利技术通过控制工艺温度以及调整各组分的添加量可以实现氮化硅层与P型多晶硅层的蚀刻速率比值稳定在1.0

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硅与P型多晶硅等速蚀刻液


[0001]本专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液及其制备方法

技术介绍

[0002]集成电路制造工艺流程中，在制备特定栅极MOSFET器件时，需要在P型多晶硅上分别沉积氮化硅与二氧化硅两种硬掩膜，干法蚀刻通孔后需要将P型多晶硅连同上一层氮化硅硬掩膜同步向内蚀刻一定深度。
[0003]目前常用对的氮化硅蚀刻液为高温磷酸，其对氮化硅的蚀刻速率约为65A/min,对P型多晶硅的蚀刻速率＜1A/min；而一般多晶硅的蚀刻液对多晶硅的蚀刻速率在1000A/s，对氮化硅的蚀刻选择比要＞100:1，采用上述蚀刻液分步蚀刻难以控制蚀刻后氮化硅与P型多晶硅的蚀刻深度。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，解决了氮化硅与P型多晶硅层分步蚀刻时，蚀刻形貌难以控制、蚀刻终点难以判断的问题。
[0005]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：
[0006]一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，其特征在于，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，其特征在于，蚀刻液为电子级产品，其主要成分包含占蚀刻液质量百分比75
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88%的磷酸、0.01
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0.5%的单硝基化合物、0.1
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1%的硝基稳定剂、0.01
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0.5%的表面活性剂、余量为水。2.根据权利要求1所述的一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，其特征在于，所述的磷酸为电子级磷酸，硝酸根含量＜0.05ppm，金属离子含量＜10ppb。3.根据权利要求1所述的一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，其特征在于，所述的单硝基化合物的沸点＞160℃。4.根据权利要求3所述的一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，其特征在于，所述的单硝基化合物为3
‑
硝基吡啶、2
‑
硝基咪唑、3
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯凯，贺兆波，崔会东，王书萍，张庭，尹印，万杨阳，钟昌东，李鑫，李金航，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：