一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液制造技术

本发明专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液及其制备方法。所述蚀刻液主要用于湿法蚀刻锗，得到理想蚀刻锥角的微结构，组成包括氧化剂、氟离子源、表面活性剂、缓冲组合剂和高纯水。氧化剂将锗氧化且不损伤硅衬底；氟离子源主要起到络合去除锗的氧化物的作用；表面活性剂降低表面张力起到消泡和润湿作用；锗的蚀刻对pH值非常敏感，pH值对蚀刻晶向有很大的影响，缓冲组合剂用于调控蚀刻液pH值，以获取较高的蚀刻锥角。以获取较高的蚀刻锥角。

【技术实现步骤摘要】
一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液


[0001]本专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液及其使用方法。

技术介绍

[0002]六十年代以前，锗作为重要的半导体材料而被大量使用，随后由于硅材料的崛起，锗在半导体领域的用量大幅减少，然而其在红外、光纤、催化剂等领域的开发应用一直在持续。近年来，无线能量传输技术发展迅速，受到了业界越来越多的关注。对于微波无线能量传输系统的应用，锗肖特基二极管作为整流电路的核心元件表现出极为优异的性能。锗的空穴迁移率和电子迁移率都显著高于硅材料，因此锗晶体管的运行速度远高于硅晶体管。锗衬底的蚀刻可以采用干法蚀刻和湿法蚀刻，前者成本较高而且容易引入离子损伤导致缺陷；后者优势在于成本低，且湿法蚀刻具有较高的选择性。

技术实现思路

[0003]本专利技术针对现有半导体集成电路工艺中对锗的湿法蚀刻锥角难以控制问题，目的在于提供一种蚀刻锥角可控的锗蚀刻液配方及其制备方法。
[0004]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：
[0005]一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液，蚀刻液主要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液，其特征在于：蚀刻液成分包括1~20wt%的氧化剂、1~10wt%的氟离子源、0.01~1wt%表面活性剂、0. 1~5wt%的缓冲组合剂，余量的水。2.根据权利要求1所述的高蚀刻锥角的锗蚀刻液，其特征在于：所述氟离子源为氟化铵、氟硼酸、氟硼酸盐、氟化氢铵、六氟硅酸、六氟硅酸盐、三乙胺三氢氟酸、吡啶氢氟酸盐化合物中的至少一种。3.根据权利要求1所述的高蚀刻锥角的锗蚀刻液，其特征在于：所述氧化剂为硝基吡啶、硝基苯酚、n
‑
氧化吡啶、过氧乙酸、双氧水物质中的至少一种。4.根据权利要求1所述的高蚀刻锥角的锗蚀刻液，其特征在于：所述的表面活性剂为全氟辛酸、十六烷基磺基甜菜碱、十二烷基葡萄糖苷、十二烷基苯磺酸铵、辛基酚聚氧乙烯醚物质中至少一种。5.根据权利要求1所述的高蚀刻锥角的锗蚀刻液，其特征在于：所述缓冲组合剂为三羟甲基氨基甲烷
‑
盐酸、三乙醇胺

【专利技术属性】
技术研发人员：尹印，陈麒，余迪，彭浩，万杨阳，贺兆波，张庭，冯凯，王书萍，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：