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本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液及其制备方法。所述蚀刻液主要用于湿法蚀刻锗，得到理想蚀刻锥角的微结构，组成包括氧化剂、氟离子源、表面活性剂、缓冲组合剂和高纯水。氧化剂将锗氧化且不损伤硅衬底；氟离子源主要起到络合去除...
该专利属于湖北兴福电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料有限公司授权不得商用。

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