一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液制造技术

本发明专利技术涉及一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、表面活性剂和超纯水。本发明专利技术的蚀刻液中通过加入表面活性剂，表面活性剂具有优良的润湿性且低泡，能够降低蚀刻液的接触角大小，提高蚀刻液浸润性，同时降低表面张力，使蚀刻液与光刻胶下的二氧化硅薄膜接触良好，由于产生气泡量少，能够避免由于气泡导致的蚀刻不均匀问题，保持均匀蚀刻。本发明专利技术所述的蚀刻液浸润性优、表面张力低、气泡少，能够均匀蚀刻光刻胶下的二氧化硅薄膜，不产生二氧化硅残留，且对光刻胶无影响。且对光刻胶无影响。且对光刻胶无影响。

【技术实现步骤摘要】
一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液


[0001]本专利技术属于蚀刻液
，具体的说涉及一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液。

技术介绍

[0002]湿法蚀刻是将被蚀刻材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，是各向同性的蚀刻方法，利用化学反应过程去除待蚀刻区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法蚀刻技术。缓冲氧化物蚀刻剂是用于去除SiO2的常规湿法蚀刻剂，通常由氢氟酸、氟化铵和水组成，可作为清洗剂、蚀刻剂，在半导体工业中常用于蚀刻无光刻胶护罩的氧化层，对蚀刻剂的表面张力、浸润性能要求不高。
[0003]对于含光刻胶或结构的氧化层蚀刻，蚀刻剂的表面张力、浸润性是影响蚀刻速率和蚀刻质量的关键因素。一般通过在缓冲氧化物蚀刻剂中加入表面活性剂降低表面张力，改善蚀刻效果，但有些表面活性剂对光刻胶的接触角较大，渗透复杂微观表面的能力较差，且含有丰富的泡沫，会导致氧化层的蚀刻不均匀，某些区域存在氧化层残留现象，影响后续的工艺制程。

技术实现思路

[0004]本专利技术提出了一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液，通过加入低泡、润湿性优良的非离子表面活性剂，不需要另外加入消本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液成分包括占蚀刻液总重量3
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9%的氢氟酸、30
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40%的氟化铵、0.005
‑
0.1%的表面活性剂、剩余为水。2.根据权利要求1所述低泡且蚀刻均匀的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液成分中的氟化铵pH值为8.15
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8.25。3.根据权利要求1所述低泡且蚀刻均匀的蚀刻液，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张庭，李金航，贺兆波，武昊冉，李鑫，欧阳克银，蒋瑜瑜，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：