存储装置及其操作方法制造方法及图纸

本公开提供存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元被分组到多个平面；页缓冲器组，所述页缓冲器组与所述多个平面中的各个平面相对应，所述页缓冲器组包括多个页缓冲器电路，所述多个页缓冲器电路中的每一个页缓冲器电路包括缓存锁存器，所述缓存锁存器接收要存储在所述多个平面中的存储单元中的数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑响应于多平面编程命令来控制所述页缓冲器组以同时初始化所述缓存锁存器当中的与至少两个平面相对应的缓存锁存器，其中，所述多平面编程命令指示在所述多个平面当中的多个平面中同时存储数据的多平面编程操作。多个平面中同时存储数据的多平面编程操作。多个平面中同时存储数据的多平面编程操作。

【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法


[0001]本文描述的一个或更多个实施方式涉及一种存储装置以及一种操作该存储装置的方法。

技术介绍

[0002]储存装置在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下将数据存储在存储装置中。在一些情况下，储存装置可以包括用于控制存储装置的存储控制器。
[0003]存储装置被分类为易失性存储装置或非易失性存储装置。易失性存储装置仅在供电时才存储数据。当中断供电时，所存储的数据消失。易失性存储装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。非易失性存储装置即使在中断供电的情况下也存储数据。非易失性存储装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除ROM(EEROM)、闪存存储器等。

技术实现思路

[0004]根据一个或更多个实施方式，存储装置表现出提高的编程操作速度。还提供一种用于以提高的编程操作速度来操作存储装置的方法。
[0005]根据本公开的一个方面，提供一种存储装置，该存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元被分组到多个平面；页缓冲器组，所述页缓冲器组与所述多个平面中的各个平面相对应，所述页缓冲器组包括多个页缓冲器电路，所述多个页缓冲器电路中的每一个页缓冲器电路包括缓存锁存器，所述缓存锁存器配置成接收要存储在所述多个平面中的存储单元中的数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑配置成响应于多平面编程命令来控制所述页缓冲器组以同时初始化所述缓存锁存器当中的与至少两个平面相对应的缓存锁存器，其中，所述多平面编程命令指示在所述多个平面当中的多个平面中同时存储数据的多平面编程操作。
[0006]根据本公开的另一方面，提供一种用于操作包括多个平面的存储装置的方法，该方法包括以下步骤：从外部控制器接收指示多平面编程操作并包括多个子命令的多平面编程命令，其中，所述多平面编程操作包括同时执行与所述多个平面中的各个平面相对应的编程操作；以及基于所述多个子命令同时初始化与所述多个平面相对应的多个缓存锁存器，其中，所述多个缓存锁存器配置成接收要存储在所述多个平面中的每一个平面中的数据。
[0007]根据本公开的又一方面，提供一种存储装置，该存储装置包括：多个平面，所述多个平面包括存储单元；页缓冲器组，所述页缓冲器组与所述多个平面中的各个平面相对应，所述页缓冲器组中的每个页缓冲器组配置成接收要存储在所述存储单元中的数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑配置成接收用于对所述多个平面同时执行编程操作的多平面编程命令，并且控制所述页缓冲器组以在接收要存储在所述多个平面当中的一个平面中的数据的同时，同时初始化包括在所述页缓冲器组中的所有锁存器。
附图说明
[0008]示例实施方式将在下文中参照附图进行更详细地描述；然而，它们可以以不同的形式实现，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将示例实施方式的范围充分传达给本领域技术人员。
[0009]在附图中，为了图示清楚，可能会放大尺寸。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，它可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。贯穿全文，相似的附图标记指代相似的元件。
[0010]图1例示了储存装置的实施方式。
[0011]图2例示了存储装置的实施方式。
[0012]图3例示了存储装置的实施方式。
[0013]图4A例示页缓冲器电路的实施方式，并且图4B示出缓存锁存器的实施方式。
[0014]图5例示了多平面编程操作的实施方式。
[0015]图6例示了在编程操作中的地址周期到数据加载时间的实施方式。
[0016]图7例示了多平面编程操作的实施方式。
[0017]图8例示了多平面编程操作的实施方式。
[0018]图9例示了多平面编程操作的实施方式。
[0019]图10例示了锁存器初始化控制器的实施方式。
[0020]图11例示了操作存储装置的方法的实施方式。
[0021]图12例示了操作存储装置的方法的实施方式。
[0022]图13例示了存储单元阵列的实施方式。
[0023]图14例示了存储块的实施方式。
[0024]图15例示了存储块的实施方式。
[0025]图16例示了存储块的实施方式。
[0026]图17例示了存储卡系统的实施方式。
[0027]图18例示了固态驱动器(SSD)的实施方式。
[0028]图19例示了用户系统的实施方式。
具体实施方式
[0029]本文公开的具体结构或功能描述仅是说明性的，目的是为了描述根据本公开的构思的实施方式。根据本公开的构思的实施方式可以以各种形式实现，并且不能被解释为限于本文所阐述的实施方式。
[0030]在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施方式，以使本领域技术人员能够容易地实现本公开的技术思想。
[0031]图1是例示了储存装置1000的实施方式的框图，该储存装置1000可以包括存储装置100和存储控制器200。储存装置1000可以在主机2000的控制下存储数据。主机2000的示例包括诸如移动电话、智能电话、MP3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、显示器装置、平板PC或车载信息娱乐系统。
[0032]例如，根据作为与主机2000的通信方案的主机接口，储存装置1000可以是各种类型的储存装置中的任意一种。储存装置1000的示例包括固态驱动器(SSD)、多媒体卡(MMC)、
嵌入式MMC(eMMC)、小尺寸MMC(RS
‑
MMC)、微型MMC(微型MMC)、安全数字(SD)卡、迷你SD卡、微型SD卡、通用串行总线(USB)储存装置、通用闪存(UFS)装置、紧凑型闪存(CF)卡、智能媒体卡(SMC)和记忆棒。
[0033]储存装置1000可以被实现为各种封装类型中的一种。示例包括层叠封装(POP)、系统级封装(SIP)、片上系统(SOC)、多芯片封装(MCP)、板上芯片(COB)、晶圆级制造封装(WFP)和晶圆级层叠封装(WSP)。
[0034]存储装置100可以存储数据或使用所存储的数据。存储装置100可以在存储控制器200的控制下操作。存储装置100还可以包括多个存储器管芯，每个存储器管芯可以包括具有用于存储数据的多个存储单元的存储单元阵列。每个存储单元可以被配置为例如存储一个数据位的单层单元(SLC)、存储两个数据位的多层单元(MLC)、存储三个数据位的三层单元(TLC)或者存储四个数据位的四层单元(QLC)。
[0035]存储单元阵列可以包括多个存储块。每个存储块可以包括多个存储单元，并且一个存储块可以包括多个页。根据一个实施方式，页可以是用于将数据存储在存储装置100中或用于读取存储在存储装置100中的数据的单元。
[0036]存储装置100可以被实现为例如双倍数据速率同步动态随机存取存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储装置，该存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元被分组到多个平面；页缓冲器组，所述页缓冲器组与所述多个平面中的各个平面相对应，所述页缓冲器组包括多个页缓冲器电路，所述多个页缓冲器电路中的每一个页缓冲器电路包括缓存锁存器，所述缓存锁存器接收要存储在所述多个平面中的存储单元中的数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑响应于多平面编程命令来控制所述页缓冲器组以同时初始化所述缓存锁存器当中的与至少两个平面相对应的至少两个缓存锁存器，其中，所述多平面编程命令指示在所述多个平面当中的多个平面中同时存储数据的多平面编程操作。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述数据包括与多个逻辑页相对应的多个逻辑数据，并且所述多平面编程命令包括与所述多个逻辑数据中的各个逻辑数据相对应的多个子命令。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述多个子命令包括表示所述数据与所述多个逻辑页当中的哪个逻辑页相对应的逻辑页信息。4.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述多个逻辑页包括最高有效位MSB页、中央有效位CSB页和最低有效位LSB页。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个平面包括第一平面至第四平面，并且所述页缓冲器组以从所述第一平面至所述第四平面的顺序从外部控制器依次接收所述数据。6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多平面编程命令包括表示所述数据是要存储在所述多个平面中的哪个平面中的数据的地址信息。7.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述控制逻辑包括锁存器初始化控制器，所述锁存器初始化控制器响应于所述多平面编程命令来控制所述页缓冲器组以执行同时初始化所述至少两个缓存锁存器的初始化操作。8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述锁存器初始化控制器包括页缓冲器控制器，所述页缓冲器控制器响应于所述多个子命令当中的一个子命令的输入来控制所述页缓冲器组以将存储在一个锁存器中的数据移动到另一锁存器。9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，所述页缓冲器控制器控制所述页缓冲器组以将存储在所述缓存锁存器当中的至少一个缓存锁存器中的数据移动到通过同一位线与所述至少一个缓存锁存器连接的另一锁存器。10.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述锁存器初始化控制器包括目标锁存器确定器，所述目标锁存器确定器基于所述多个子命令来确定在所述缓存锁存器当中要被执行所述初始化操作的至少两个目标锁存器。11.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述控制逻辑控制所述页缓冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：李孝在，辛范柱，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：