智能位移传感器和极性校准电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种智能位移传感器和极性校准电路。智能位移传感器包括位移传感器和电连接至位移传感器的极性校准电路。极性校准电路具有用于与供电电源的正极和负极分别电连接的第一和第二外接端。极性校准电路被设计成：当第一和第二外接端分别连接至供电电源的正极和负极时，或者当第一和第二外接端分别连接至供电电源的负极和正极时，极性校准电路都会将位移传感器的正极和负极分别连接至供电电源的正极和负极。在本实用新型专利技术中，极性校准电路被设计成能够保证与其连接的位移传感器始终被正向供电，因此，极性校准电路的与供电电源连接的两个外接端可以随意地连接至供电电源的正负极，无需区分正负极，使用非常方便。使用非常方便。使用非常方便。

【技术实现步骤摘要】
智能位移传感器和极性校准电路


[0001]本技术涉及一种用于位移传感器的极性校准电路和包括该极性校准电路的智能位移传感器。

技术介绍

[0002]LVDT传感器(Linear Variable Differential Transformer，线性可变差动变压器)通过采集移动芯的位移量，并将采集到的位移量转换为电信号，从而可根据获得的电信号计算出位移量。在现有技术中， LVDT传感器的电源输入端是需要区分正负极的。因此，使用时，需要将LVDT传感器的正极端线缆和负极端线缆分别连接至供电电源的正极和负极，以保证向LVDT传感器正向供电。
[0003]但是，在现场使用时，操作人员很容易将LVDT传感器的正极端线缆和负极端线缆搞错，这会导致LVDT传感器被反向供电(即LVDT 传感器的正极端线缆和负极端线缆被分别连接至供电电源的负极和正极的情况)，反向供电会烧毁LVDT传感器内的电路，从而导致 LVDT传感器报废。

技术实现思路

[0004]本技术的目的旨在解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面。r/>[0005]根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种智能位移传感器，其特征在于，包括：位移传感器(20)；和极性校准电路，电连接至所述位移传感器(20)，所述极性校准电路具有用于与供电电源(10)的正极(21)和负极(22)分别电连接的第一外接端(1)和第二外接端(2)，所述极性校准电路被设计成：当所述第一外接端(1)和所述第二外接端(2)分别连接至供电电源(10)的正极和负极时，或者当所述第一外接端(1)和所述第二外接端(2)分别连接至供电电源(10)的负极和正极时，所述极性校准电路都会将所述位移传感器(20)的正极(21)和负极(22)分别连接至供电电源(10)的正极和负极。2.根据权利要求1所述的智能位移传感器，其特征在于：所述极性校准电路包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)和第四二极管(D4)；所述第一二极管(D1)的阴极和所述第二二极管(D2)的阴极相连，并连接至所述位移传感器(20)的正极(21)；所述第三二极管(D3)的阳极和所述第四二极管(D4)的阳极相连，并连接至所述位移传感器(20)的负极(22)；所述第一二极管(D1)的阳极和所述第四二极管(D4)的阴极相连，并连接至所述第一外接端(1)；所述第二二极管(D2)的阳极和所述第三二极管(D3)的阴极相连，并连接至所述第二外接端(2)。3.根据权利要求2所述的智能位移传感器，其特征在于：所述极性校准电路还包括采样电阻(R)，所述采样电阻(R)的一端与所述第一二极管(D1)的阳极和所述第四二极管(D4)的阴极相连，另一端与所述第一外接端(1)相连。4.根据权利要求2所述的智能位移传感器，其特征在于：所述极性校准电路还包括采样电阻(R)，所述采样电阻(R)的一端与所述第二二极管(D2)的阳极和所述第三二极管(D3)的阴极相连，另一端与所述第二外接端(2)相连。5.根据权利要求2所述的智能位移传感器，其特征在于：所述极性校准电路还包括采样电阻(R)，所述采样电阻(R)的一端与所述第一二极管(D1)的阴极和所述第二二极管(D2)的阴极相连，另一端与所述位移传感器(20)的正极(21)相连。6.根据权利要求2所述的智能位移传感器，其特征在于：所述极性校准电路还包括采样电阻(R)，所述采样电阻(R)的一端与所述第三二极管(D3)的阳极和所述第四二极管(D4)的阳极相连，另一端与所述位移传感器(20)的负极(22)相连。7.根据权利要求3
‑
6中任一项所述的智能位移传感器，其特征在于：所述采样电阻(R)为阻值可调的可调节电阻。8.根据权利要求1所述的智能位移传感器，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：田晓超，杨锋，
申请(专利权)人：精量电子深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：