一种化学机械研磨方法技术

本发明专利技术提供一种化学机械研磨方法，包括：利用化学机械研磨装置逐个对一批晶圆进行研磨，每研磨至少两个所述晶圆，对所述化学机械研磨装置的研磨垫进行修整，在对所述晶圆进行化学机械研磨的过程中会产生对研磨速率造成影响的研磨副产物，本发明专利技术通过调整化学机械研磨工艺过程中每两次修整之间研磨的所述晶圆的个数及每次修整过程中的修整次数，调整研磨过程中所述研磨垫上粘合的研磨副产物的数量，进而均匀对所述晶圆的研磨速率，改善对一批晶圆进行化学机械研磨后各晶圆之间膜厚的均匀性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械研磨方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种化学机械研磨方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面平坦程度(Non
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uniformity)的要求越来越高，化学机械研磨通过化学腐蚀与机械去除相结合，是目前机械加工中可以实现全局平坦化的技术。
[0003]在使用软研磨垫对晶圆进行多晶硅研磨(Poly CMP)的工艺中，研磨过程中产生的副产物对研磨速率有着重要的贡献，当研磨垫中的微孔被研磨浆中的研磨颗粒和研磨过程中产生的研磨副产物充分填充后，有助于研磨速率的稳定，也可以起到调整研磨垫刚度的作用，而当研磨垫中的微孔填充变得不稳定时，其研磨性质也会受到影响。
[0004]多晶硅化学机械研磨(Poly CMP)工艺中研磨垫修整过程与研磨过程独立进行，修整时间不会随着研磨时间的变化而变化，通常采用修整一次然后研磨一次的方式。对研磨垫进行修整的过程中会清理掉研磨垫表面的部分填充物，同时也改善研磨垫表面绒毛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：利用化学机械研磨装置逐个对一批晶圆进行研磨，每研磨至少两个所述晶圆，对所述化学机械研磨装置的研磨垫进行修整。2.如权利要求1所述的一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述晶圆包括衬底及位于所述衬底上的栅极结构，对所述晶圆进行研磨时，是对所述晶圆的栅极结构的顶部进行研磨。3.如权利要求1所述的一种化学机械研磨方法，其特征在于，对第一个所述晶圆进行研磨之前，对所述研磨垫进行至少一次修整。4.如权利要求1或3所述的一种化学机械研磨方法，其特征在于，每个所述晶圆研磨完成后，测量研磨后的所述晶圆的厚度，若研磨后的所述晶圆的厚度小于预设值，则对所述研磨垫进行修整。5.如权利要求1所述的一种化学机械研磨方法，其特征在于，对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：程君，李儒兴，李协吉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：