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本发明提供一种化学机械研磨方法，包括：利用化学机械研磨装置逐个对一批晶圆进行研磨，每研磨至少两个所述晶圆，对所述化学机械研磨装置的研磨垫进行修整，在对所述晶圆进行化学机械研磨的过程中会产生对研磨速率造成影响的研磨副产物，本发明通过调整化学机...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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