【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法
[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制作方法。
技术介绍
[0002]随着动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)制程技术的不断发展，相邻位线结构之间的间距越来越小。随着相邻位线结构之间的间距变小，位线结构之间构成的接触孔的制造难度越来越大，尤其是在形成高深宽比的接触孔时，接触孔内填充用于形成接触层的材料会存在缝隙，并且该接触孔内的接触层的顶部形貌难以控制，从而降低了半导体结构的导电性和良率。
技术实现思路
[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供一种半导体结构的制作方法。
[0005]本公开实施例提供了一种半导体结构的制作方法，该半导体结构的制作方法包括：
[0006]提供基底，所述基底上包括多个相互分立的位线结构，相邻所述位线结构之间形成接触孔；
[0007]于所述接触孔内形成初始接触层，所述初始接触层填满所述接...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供基底，所述基底上包括多个相互分立的位线结构，相邻所述位线结构之间形成接触孔；于所述接触孔内形成初始接触层，所述初始接触层填满所述接触孔并延伸至所述接触孔外，所述初始接触层的顶面高于所述位线结构的顶面，其中，所述初始接触层内包括缝隙，且所述缝隙的顶面低于所述位线结构的顶面；对所述初始接触层进行刻蚀，以去除部分所述初始接触层，暴露出所述位线结构的顶面，被保留下来的所述初始接触层形成第一接触层；对所述第一接触层进行刻蚀，以去除部分所述缝隙，被保留下来的所述第一接触层形成第二接触层，所述第二接触层的顶部呈凹陷状；对所述第二接触层进行刻蚀，且对所述凹陷状的侧壁的刻蚀速率大于对所述凹陷状的底部的刻蚀速率，以去除剩余所述缝隙，并形成第三接触层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述对所述第一接触层进行刻蚀，以去除部分所述缝隙，包括：对所述第一接触层进行第一时长的第一过刻蚀处理，以去除部分所述缝隙。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述对所述第一接触层进行第一时长的第一过刻蚀处理，包括：在源功率为300～500W，偏压功率为50～80W，压力为5～20mTorr的条件下，利用高选择比的第一刻蚀气体对所述第一接触层进行刻蚀。4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述对所述第二接触层进行刻蚀，且对所述凹陷状的侧壁的刻蚀速率大于对所述凹陷状的底部的刻蚀速率，以去除剩余所述缝隙，并形成第三接触层，包括：对所述第二接触层的顶部进行第二时长的第二过刻蚀处理，其中，在第二过刻蚀处理中，对所述凹陷状的侧壁的刻蚀速率大于对所述凹陷状的底部的刻蚀速率，以去除部分所述第二接触层，被保留下来的所述第二接触层形成所述第三接触层。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二时长包括第一时间段；所述对所述第二接触层的顶部进行第二时长的第二过刻蚀处理，包括：对所述第二接触层的顶部进行第一时间段的第二过刻蚀处理，以去除部分所述第二接触层，并在被保留下来的所述第二接触层的顶部形成具有第一形貌的第一凹陷。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二时长包括第二时间段，其中，所述第二时间段的时长大于所述第一时间段的时长；所述对所述第二接触层的顶部进行第二时长的第二过刻蚀处理，包括：对所述第二接触层的顶部进行第二时间段的第二过刻蚀处理，以去除部分所述第二接触层，并在被保留下来的所述第二接触层的顶部形成具有第二形貌的第二凹陷；其中，沿第一方向，所述第二凹陷的顶部和其底部之间的差值小于所述第一凹陷的顶部和其底部之间的差值。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述对所述第二接触层的顶部进行第二时长的第二过刻蚀处理，包括：
确定第二时长；在所述第二时长内，利用所述第二过刻蚀处理对所述第二接...
【专利技术属性】
技术研发人员：锁浩，纪刚，巩金峰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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