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本公开提供了一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底，基底上包括多个相邻之间形成接触孔的位线结构；于接触孔内形成初始接触层，初始接触层内包括缝隙；对初始接触层进行刻蚀，去除部分初始接触层，以形成第一接触层；对第一接触层进行刻蚀，以去除部分缝...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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