电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法以及形成存储器单元阵列的方法技术

一种形成电容器阵列的方法包括在衬底上方形成竖直堆叠。所述堆叠包括水平伸长的导电结构和在所述导电结构正上方的绝缘体材料。在所述绝缘体材料中形成通向所述导电结构的水平间隔开的开口。在所述开口中的个别者中形成向上开放的容器形底部电容器电极。所述底部电容器电极直接抵靠着所述导电结构的导电材料。所述导电结构将所述底部电容器电极直接电耦合在一起。在所述开口中所述底部电容器电极横向内侧形成电容器绝缘体。在所述开口中的个别者中所述电容器绝缘体横向内侧形成顶部电容器电极。所述顶部电容器电极不直接电耦合在一起。公开了与方法无关的结构。公开了与方法无关的结构。公开了与方法无关的结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法以及形成存储器单元阵列的方法


[0001]本文所公开的实施例涉及电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法以及形成存储器单元阵列的方法。

技术介绍

[0002]存储器是一种类型的集成电路系统，且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线或感测线)和存取线(其也可被称为字线)对存储器单元进行写入或从中进行读取。数字线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，并且存取线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。可通过数字线和存取线的组合对每一存储器单元进行唯一地寻址。
[0003]存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年保留时间的存储器。易失性存储器会耗散，且因此刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元被配置成以至少两个不同可选择状态保留或存储存储内容。在二进制系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成电容器阵列的方法，其包括：在衬底上方形成竖直堆叠，所述堆叠包括水平伸长的导电结构和在所述导电结构正上方的绝缘体材料；在所述绝缘体材料中形成通向所述导电结构的水平间隔开的开口；在所述开口中的个别者中形成向上开放的容器形底部电容器电极，所述底部电容器电极直接抵靠着所述导电结构的导电材料，所述导电结构将所述底部电容器电极直接电耦合在一起；在所述开口中所述底部电容器电极横向内侧形成电容器绝缘体；以及在所述开口中的个别者中所述电容器绝缘体横向内侧形成顶部电容器电极，所述顶部电容器电极不直接电耦合在一起。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电结构的所述导电材料具有0.001至1.0欧姆
·
厘米的固有电阻。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电结构包括在其中接收所述电容器的阵列区域内水平地全局延伸的板。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电结构包括多个直接电耦合且水平间隔开的导线。5.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述底部电容器电极的顶部表面正上方形成所述电容器绝缘体。6.根据权利要求6所述的方法，其包括直接抵靠着所述底部电容器电极的所述顶部表面形成所述电容器绝缘体。7.根据权利要求1所述的方法，在形成所述顶部电容器电极之前，横向薄化所述底部电容器电极的顶部表面上方的所述电容器绝缘体。8.根据权利要求1所述的方法，其包括直接抵靠着所述导电结构的所述导电材料的至少一个横向侧表面形成所述底部电容器电极中的个别者。9.根据权利要求8所述的方法，其包括直接抵靠着所述导电结构的所述导电材料的多个所述横向侧表面形成所述个别底部电容器电极。10.根据权利要求1所述的方法，其包括直接抵靠着所述导电结构的所述导电材料的顶部表面形成所述底部电容器电极中的个别者。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述底部电容器电极的顶部表面高于与其横向紧邻的所述导电结构的部分的所述导电材料的顶部表面。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述底部电容器电极的所述顶部表面不是水平平面的。13.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述开口形成为竖直地延伸穿过所述导电结构的所述导电材料。14.根据权利要求13所述的方法，其包括将所述开口形成为延伸到所述导电结构下方的绝缘材料中。15.根据权利要求14所述的方法，其包括将所述开口形成为在所述导电结构下方比在所述导电结构上方更高。16.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口未形成为竖直地延伸穿过所述导电结构
的所述导电材料。17.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述开口包括相对于所述导电结构的所述导电材料选择性地蚀刻所述绝缘体材料，且最后在所述导电结构的所述导电材料上终止。18.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述导电结构形成为接近所述底部电容器电极的顶部。19.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述导电结构形成为接近所述底部电容器电极的底部。20.一种形成存储器单元阵列的方法，其包括：在衬底上方形成竖直堆叠，所述堆叠包括水平伸长的导电结构和在所述导电结构正上方的绝缘体材料；形成多个电容器，其包括：在所述绝缘体材料中形成通向所述导电结构的水平间隔开的开口；在所述开口中的个别者中形成向上开放的容器形底部电容器电极，所述底部电容器电极直接抵靠着所述导电结构的导电材料，所述导电结构将所述底部电容器电极直接电耦合在一起；在所述开口中所述底部电容器电极横向内侧形成电容器绝缘体；以及在所述开口中的个别者中所述电容器绝缘体横向内侧形成顶部电容器电极，所述顶部电容器电极不直接电耦合在一起；以及在所述多个电容器上方形成多个竖直晶体管；所述竖直晶体管个别地包括晶体管材料，所述晶体管材料包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区和竖直地处于其间的沟道区；所述底部源极/漏极区中的个别者直接电耦合到所述顶部电容器电极中的个别者。21.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：