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电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法以及形成存储器单元阵列的方法技术
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文档序号:33075657
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一种形成电容器阵列的方法包括在衬底上方形成竖直堆叠。所述堆叠包括水平伸长的导电结构和在所述导电结构正上方的绝缘体材料。在所述绝缘体材料中形成通向所述导电结构的水平间隔开的开口。在所述开口中的个别者中形成向上开放的容器形底部电容器电极。所述底...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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