一种芯片内负升压电路及其充放电方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片内负升压电路，包括电流源I3、电阻R1、电阻R2，比较器、控制单元、充放电单元，充放电单元包括可调电流源I1、可调电流源I2、电容C、N沟道型MOS管M1和M2，其中，可调电流源I1与可调电流源I2串联，可调电流源I1的输入端接电源VDD，可调电流源I2的输出端接地，NMOS管M2的漏极接地，M2的源极接NMOS管M1的漏极，M1的源极接电阻R2；电容C的一端接可调电流源I1与可调电流源I2的公共端，电容C的另一端接M2的源极与M1的漏极的公共端；控制单元用于控制可调电流源I1、I2的电流大小。本发明专利技术还提供一种负升压电路充放电方法，能够减小尖峰电流，EMI特性好，有效提高负载的驱动效率。有效提高负载的驱动效率。有效提高负载的驱动效率。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片内负升压电路及其充放电方法


[0001]本专利技术涉及负升压电路
，具体涉及一种芯片内负升压电路及其充放电方法。

技术介绍

[0002]随着图像传感器被广泛用于手机、笔记本、数码相机、视频游戏机、车载、视觉机器人等领域，提高成像质量成为图像传感器技术不断追求的目标，而图像传感器的像素尺寸与成像质量正相关。因此，为满足市场需求，设计时图像传感器的像素尺寸越来越大。
[0003]当像素的设计尺寸不断增大，就需要图像传感器的各种电源能够提供更大的驱动能力。另一方面，随着无线设备所使用的频率范围越来越广，抗电磁干扰（EMI）特性也越来越受到关注。
[0004]图像传感器工作期间需要负偏压，该负偏压一般通过负升压电路（negative boost circuit）生成。负升压电路通过电荷泵实现充放电，传统的电荷泵电路随着所需驱动能力的增大，其产生的尖峰电流也随之变大，由此产生瞬时压降会对整个电路系统造成损坏，甚至影响图像传感器的正常工作。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是抑制负升压电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片内负升压电路，其特征在于，该电路包括电流源I3、电阻R1、电阻R2，比较器（11）、控制单元（12）、充放电单元（13），所述充放电单元（13）包括可调电流源I1、可调电流源I2、电容C、N沟道型MOS管M1和M2，其中，可调电流源I1与可调电流源I2串联，可调电流源I1的输入端接电源VDD，可调电流源I2的输出端接地，NMOS管M2的漏极接地，M2的源极接NMOS管M1的漏极，M1的源极接电阻R2；电容C的一端接可调电流源I1与可调电流源I2的公共端，电容C的另一端接M2的源极与M1的漏极的公共端；所述控制单元（12）用于控制可调电流源I1、可调电流源I2的电流大小，同时控制所述电流源I1和所述电流源I2的导通和关断。2.根据权利要求1所述的芯片内负升压电路，其特征在于，所述电流源I3与所述电阻R1、所述电阻R2依次串联，所述电流源I3的一端接电源VDD，所述电阻R1与所述电阻R2的公共端接所述比较器（11）的反相输入端；所述比较器（11）的输出端接所述控制单元（12）的输入端，所述控制单元（12）的输出端分别连接所述可调电流源I1和所述可调电流源I2。3.根据权利要求2所述的芯片内负升压电路，其特征在于，所述比较器（11）的正相输入端接参考电压V1，所述比较器（11）的反相输入端接反馈电压V2；所述控制单元（12）的输入端接时钟信号CLKA；所述NMOS管M2的栅极接时钟信号CLKB，所述NMOS管M1的栅极接时钟信号CLKC。4.一种如权利要求1
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3任一项所述的芯片内负升压电路的充放电方法，其特征在于，该充放电方法包括以下步骤：启动阶段：接入电源VDD生成电流I3，并输入参考电压V1；充电阶段：输入时钟信号CLKA为低电平，通过控制单元12将可调电流源I1导通，可调电流源I2关断，...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零二M三零七，
申请(专利权)人：四川创安微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：