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本发明公开了一种芯片内负升压电路，包括电流源I3、电阻R1、电阻R2，比较器、控制单元、充放电单元，充放电单元包括可调电流源I1、可调电流源I2、电容C、N沟道型MOS管M1和M2，其中，可调电流源I1与可调电流源I2串联，可调电流源I1的...
该专利属于四川创安微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川创安微电子有限公司授权不得商用。

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