一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料及其制备方法；所述制备方法，包括如下步骤：以WSe2粉末和WO3粉末为原料，通过第一次化学气相沉积于衬底表面生长WSe2/WO3纳米片，然后将含WSe2/WO3纳米片的衬底，盖于装有NaCl粉末的容器中，并使得装有NaCl粉末的容器留有敞口，在含有S蒸汽的环境下，于含WSe2/WO3纳米片的衬底表面进行第二次化学气相沉积，控制第二次化学气相沉积的温度为530～570℃，即获得WSe2/WS2垂直异质结纳米材料。本发明专利技术通过WO3纳米片辅助的化学气相沉积法在较低温度下获得WSe2/WS2垂直异质结纳米材料，解决了现有技术中高温下制备WSe2/WS2垂直异质结纳米材料时底层材料易发生热分解、原子替换的难题，为制备其他高质量二维异质结提供了新的方法思路。备其他高质量二维异质结提供了新的方法思路。备其他高质量二维异质结提供了新的方法思路。

【技术实现步骤摘要】
一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料及其制备方法；属于二维层状合金材料复合结构制备


技术介绍

[0002]异质结构，特别是范德华异质结构，由于具有丰富的界面特性，如无悬挂键、干净、存在超快的电荷转移等，在光电子器件领域具有广泛的应用前景。目前有众多基于二维异质结构光电器件的研究，包括光电探测器、发光器件、光伏器件等。但大部分具有优异性能的器件应用均是基于机械剥离法制备的材料，在大规模器件应用层面比较受限。从实际应用角度，能规模化可控制备大面积、高质量二维异质结构对其器件应用具有重要意义。
[0003]目前也有许多二维异质结构可控合成的工作报道，但大部分的光电器件性能一般。限制其性能的关键因素是材料质量。这主要受限于其高温制备过程，在制备中底材料易发生热分解，原子替换等。到目前为止，有一些工作通过盐辅助CVD法，从降低金属氧化物粉末前驱体的熔点，从而降低生长温度角度去提高所制备材料质量，比如MoSe2/WSe2、WS2/MoS2。但是由于金属氧化物粉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：以WSe2粉末和WO3粉末为原料，通过第一次化学气相沉积于衬底表面生长WSe2/WO3纳米片，然后将含WSe2/WO3纳米片的衬底，盖于装有NaCl粉末的容器中，并使得装有NaCl粉末的容器留有敞口，在含有S蒸汽的环境下，于含WSe2/WO3纳米片的衬底表面进行第二次化学气相沉积，控制第二次化学气相沉积的温度为530～570℃，即获得WSe2/WS2垂直异质结纳米材料。2.根据权利要求1所述的一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料的制备方法，其特征在于：所述第一次化学气相沉积的温度为600
‑
650℃，第一次化学气相沉积的时间为2
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5min。3.根据权利要求1所述的一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料的制备方法，其特征在于：所述WSe2/WO3纳米片的生长过程为：将装有WSe2粉末和WO3粉末的容器，衬底置于具有进气口，出气口和中心加热区的管式炉中，其中装有WSe2粉末和WO3粉末的容器放置于管式炉的中心加热区，衬底放置于管式炉的下游沉积区，所述下游沉积区靠近出气口一端；然后进行第一次气相沉积于衬底表面生长获得WSe2/WO3纳米片；所述中心加热区的温度为980～1050℃。4.根据权利要求1或3所述的一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料的制备方法，其特征在于：所述第一次化学气相沉积于常压下进行，第一次化学气相沉积以氩气为载气，所述氩气的流量为50～80sccm。5.根据权利要求1所述的一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料的制备方法，其特征在于：将含WSe2/WO3纳米片的衬底，按WSe2/WO3纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东，游文霞，郑弼元，潘安练，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：