单一ＥＬＯＧ生长的横向Ｐ－Ｎ结氮化物半导体激光器制造技术

可以通过ＥＬＯＧ（外延横向过度生长）制造垂直量子阱氮化物激光器，通过在横向生长边缘的垂直ａ－面上方沉积和在单一ＥＬＯＧ－ＭＯＣＶＤ（金属有机化学汽相沉积）生长步骤中形成横向结而生成的垂直量子阱。垂直量子阱可以用于ＧａＮ垂直腔表面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）和ＧａＮ边缘发射激光器。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
GaInN量子阱结构用于GaN基LED和激光器。典型的GaN基LED和激光器结构具有平行于衬底定向的量子阱结构，对于边缘发射器其限制可用于p接触的面积并且对于VCSEL结构其一般限制谐振腔的大小，从而限制VCSEL放大。
技术实现思路
可以通过ELOG(外延横向过度生长)制造垂直量子阱氮化物激光器，该垂直量子阱是通过在横向生长的边缘的垂直a-面上方沉积并且在单一ELOG-MOCVD(金属有机化学汽相沉积)生长步骤中形成横向结来产生的。垂直量子阱可以从将量子阱定向为的垂直a-面生长，或者垂直量子阱可以从将量子阱定向为 的垂直c-面生长。垂直量子阱可以用于GaN垂直腔表面发射激光器(VCSEL)和GaN边缘发射激光器。附图说明图1a-1e显示根据本专利技术用于制造VCSEL的步骤。图1f显示根据本专利技术的实施例的顶视图。图2a-b显示根据本专利技术制造VCSEL。图2c显示根据本专利技术的实施例的顶视图。图3显示根据本专利技术的边缘发射激光器的实施例。图4显示根据本专利技术的边缘发射激光器的实施例。具体实施例方式对于GaN而言，应变量子阱结构基于纤锌矿晶体结构。例如，在适当的外延本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造单一ＥＬＯＧ生长横向ｐ－ｎ结氮化物半导体激光器的方法，包括：在衬底上方沉淀和构图电介质层；以及在所述衬底上方采用单一生长步骤生长ＥＬＯＧ区域，所述ＥＬＯＧ区域包括位于ｎ型和ｐ型区域之间的ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多量子阱区域，所述ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多量子阱区域的第一部分被定向为基本上不平行于所述衬底。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：DP鲍尔，SW科尔齐尼，
申请(专利权)人：阿瓦戈科技ECBUIP新加坡股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SG[新加坡]