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可以通过ＥＬＯＧ（外延横向过度生长）制造垂直量子阱氮化物激光器，通过在横向生长边缘的垂直ａ－面上方沉积和在单一ＥＬＯＧ－ＭＯＣＶＤ（金属有机化学汽相沉积）生长步骤中形成横向结而生成的垂直量子阱。垂直量子阱可以用于ＧａＮ垂直腔表面发射激光器（...该专利属于阿瓦戈科技ＥＣＢＵＩＰ（新加坡）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿瓦戈科技ＥＣＢＵＩＰ（新加坡）股份有限公司授权不得商用。